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上页 下页 后退 模拟电子 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 平面型 点接触型 引线 触丝 外壳 N型锗片 N型硅 阳极引线 PN结 阴极引线 金锑合金 底座 铝合金小球 半导体二极管的外型和符号 正极 负极 符号 外型 负极 正极 半导体二极管的类型 (1) 按使用的半导体材料不同分为 (2) 按结构形式不同分为 硅管 锗管 点接触型 平面型 1.2.2 半导体二极管的伏安特性 硅管 0 0. 8 反向特性 正向特性 击穿特性 0 0. 8 反向特性 锗管 正向特性 uD iD (1) 近似呈现为指数曲线，即 (2) 有死区（iD≈0的区域) 1．正向特性 死区电压约为 硅管0.5 V 锗管0.1 V O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD (3) 导通后（即uD大于死区电压后） 管压降uD 约为 硅管0.6~0 .8 V 锗管0.2~0.3 V 通常近似取uD 硅管0.7 V 锗管0.2 V O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD 即 uD略有升高， iD急剧增大。 2．反向特性 IS= 硅管小于0.1微安 锗管几十到几百微安 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD (1) 当 时， 。 (2) 当 时， 反向电流急剧增大， 击穿的类型 根据击穿可逆性分为 电击穿 热击穿 二极管发生反向击穿。 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD 降低反向电压，二极管仍能正常工作。 PN结被烧坏，造成二极管永久性的损坏。 二极管发生反向击穿后，如果 a. 功耗PD( = |UDID| )不大 b. PN结的温度小于允许的最高结温 硅管150∽200oC 锗管75∽100oC 热击穿 电击穿 a. 齐纳击穿 (3) 产生击穿的机理 半导体的掺杂浓度高 击穿电压低于4V 击穿电压具有负的温度系数 空间电荷层中有较强的电场 电场将PN结中的价电子从共价键中激发出来 击穿的机理 条件 击穿的特点 半导体的掺杂浓度低 击穿电压高于6V 击穿电压具有正的温度系数 空间电荷区中就有较强的电场 电场使PN结中的少子“碰撞电离”共价键中的价电子 击穿的机理 条件 击穿的的特点 b. 雪崩击穿 1.2.3 温度对半导体二极管特性的影响 1. 当温度上升时，死区电压、正向管压降降低。 △uD/ △T = –（2~2.5）mV/ °C 2. 温度升高，反向饱和电流增大。 即 温度每升高1°C，管压降降低（2~2.5）mV。 即 平均温度每升高10°C，反向饱和电流增大一倍。 1.2.4 半导体二极管的主要电参数 1. 额定整流电流IF 2. 反向击穿电压U(BR) 管子长期运行所允许通过的电流平均值。 二极管能承受的最高反向电压。 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD 4. 反向电流IR 3. 最高允许反向工作电压UR 为了确保管子安全工作，所允许的最高反向电压。 室温下加上规定的反向电压时测得的电流。 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD UR=（1/2~2/3）U(BR) 5. 正向电压降UF 6. 最高工作频率fM 指通过一定的直流测试电流时的管压降。 fM与结电容有关，当工作频率超过fM时，二极管的单向导电性变坏。 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD 二极管的几种常用的模型 (2) 电路符号 (1) 伏安特性 1. 理想二极管 – + uD iD uD iD O 理想特性 实际特性 (2) 电路模型 (1) 伏安特性 2. 恒压模型 uD iD O uF – + uD iD uF (2) 电路模型 (1) 伏安特性 3. 折线模型 uD iD O uth rD – + uD iD uth rD (2) 电路模型 (1) 伏安特性 4. 小信号动态模型 – + ud id rd uD iD O UD rd ID Q 动态电阻 思 考 题 1. 在什么条件下，半导体二极管的管压降近似为常数？ 2. 根据二极管的伏安特性，给出几种二极管的电路分析模型。