半导体制程概论宏chapter10.pptVIP

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm 化學氣相沉積與介電質薄膜 Hong Xiao, Ph. D. hxiao89@ www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm 目標 辨別至少四種化學氣相沉積的應用 描述化學氣相沉積製程的流程 列出兩種沉積區間並說明他們與溫度之間的關係 列出兩種介電質薄膜 列舉最常使用在介電質化學氣相沉積的矽源材料 CVD 氧化層 vs. 加熱成長的氧化層 CVD 氧化層vs. 加熱成長的氧化層 介電質薄膜的應用 多層金屬連線中當做電器隔離的介電質層 CVD 和自旋塗佈介電質加上CVD介電質 淺溝槽絕緣 (STI) 多晶金屬矽化物匣即會形成側壁空間層，這是形成低摻雜汲極( LDD)和擴散緩衝層所需要的 鈍化保護介電質層 (PD) 當圖形尺寸小於 0.25 mm，自旋塗佈介電質抗反射層鍍膜(ARC)就不符合解析度需求 介電質薄膜的應用 很多公司用介電質層(interlayer dielectric；ILD)代表金屬層間介電質層, 包含金屬沉積前的介電質層(PMD)和金屬層間介電質層(IMD)金屬沉積前的介電質層: PMD 通常使用摻雜氧化物 PSG 或 BPSG 溫度受熱積存限制 金屬層間介電質層: IMD 使用USG 或 FSG 通常在溫度400 ?C