第2,3章电磁干扰源及耦合分析.ppt

2.5 电感性耦合 2.6 辐射干扰 平衡措施 平衡条件： 1 3 4 2 实例： U1 Z1 Z2 ~ 屏蔽措施 C13 2 C23 C24 C14 Z2 1 4 3 原理： Z1 ~ C1S ：导体1 与屏蔽体之间的电容 C12 ：导体1 与导体2（未屏蔽部分）之间的电容 C2G ：导体2（未屏蔽部分）的对地电容 C2S ：导体2与屏蔽体之间的电容 CSG ：屏蔽体之间的对地电容 2 S R C2G UN CSG C2S US C1G C12 U1 ~ C1S 1 U1 R C2G UN ~ CSG C2S C12 C1S 1 2 US C1G S 屏蔽对电容性耦合的影响 结论：屏蔽体必须接地。 故 若屏蔽体接地，则 则 —— 屏蔽体为等位体。 U1 US ~ C1G C1S 1 CSG S 比较 U1 R UN ~ CSG C1S 1 US C1G C2S 2 S 导体2完全屏蔽 考虑屏蔽体已接地，即CSG = 0，则 结论：导体2上的干扰电压取决于外露 部分的长度，越短越好！ 则 U1 R UN ~ C2S C12 1 C1G 2 C2G U1 R C2G UN ~ C2S C12 C1S 1 2 US C1G S 导体2部分屏蔽 低电压、大电流干扰源产生的磁耦合干扰 1 2 Z21 Z22 Z11 U1 L2 UN2 ~ L1 I1 M12 UN1 电感性耦合：当导线上的电流发生变化时，周围的磁场将发生变化。此时，若有另外的导线在这个变化的磁场中，则导线上会产生感应电动势。于是一根导线上的信号就耦合进了另一根导线。这就是电感性耦合，又称磁耦合。 忽略I2 对I1 的影响，则 1 2 Z21 Z22 Z11 U1 L2 UN2 ~ L1 I1 M12 UN1 I1 L1 ~ U1 UN2 Z21 Z22 L2 M12 Z11 1 2 I2 UN1 电感性耦合的干扰电压 【例】两根导线，长度l1=l2=1m，半径r =0.5mm，相距d =30mm，距接地金 属平面高度h1=h2=10mm。干扰源负载Z11 =100?，受干扰回路负载 Z21 =Z22=100?，设干扰频率f =1MHz，干扰源电压U1=10V，求负载 受到的干扰电压为多少？ 【解】 耦合系数： 干扰源系统的电气参数应使电流变化幅度和变化率尽可能的小； 被干扰系统应尽可能的设计成低阻及高信噪比系统； 系统的结构应尽可能紧凑，且彼此空间上相互隔离。 两个系统的耦合部分的布置应使互感尽量小； 例如：增大间距、减少导线长度、避免平行走线等。 采用平衡措施消除电感性干扰； 对干扰源和被干扰对象进行磁屏蔽。 电感性耦合的抑制 针对干扰源和被干扰对象 针对减小耦合电感 1）绞合 2）避免平行布线 3）增大间距 d h ~ ~ d h ~ ~ ~ 2 I1 S Z11 U1 ~ L1 M12 Z21 Z22 UN M1S L2 1 LS 屏蔽体不接地：对磁耦合没有影响; 屏蔽体一端接地：对磁耦合也没有影响; 屏蔽体两端接地：形成回路，对磁耦合 有影响; L1 ~ U1 I1 UN Z21 Z22 L2 M12 Uk LS M1S US IS2 IS 屏蔽对电感性耦合的影响 屏蔽体的电感 屏蔽体与内导体之间的互感 设 ，则 ，故 屏蔽体上的感应电流 IS ~ US UNS Z21 RS LS M2S Z22 S 2 当 当 IS在导体2上的感应电压 屏蔽体的截止频率 S 2 屏蔽体与导体 2 之间的磁耦合 结论：低频时，屏蔽与非屏蔽相同，屏蔽无用； 高频时，（5倍频以上时）干扰基本保持常数。 当 当 —— 与无屏蔽时相同 导体2上的耦合电压 采用屏蔽体单端接地的方法，可以解决前面出现的问题 此时无论在任何频率上，总有 ，且方向相反， IS产生的磁场抵消了I1产生的磁场，屏蔽体外磁场为零， 从而抑制了电感耦合。 U1 ~ I1 IS 屏蔽体截止频率测量值 电缆 阻抗 （Ω） 截止频率（KHz） 5倍截止频率（KHz） 同轴 电缆 RG－6A 75 0.6 3.0 RG－213 50 0.7 3.5 RG－214 50 0.7 3.5 RG－62A 93 1.5 7.5 RG－59C 75 1.6 8.0 RG－58C 50 2.0 10.0 屏蔽的绞线 754E 125 0.8 4.0 24Ga － 2.2 11.0 22Ga －