砷化镓的单晶制备与应用.docVIP

砷化镓的单晶制备与应用 李强 （山东大学物理学院 学号：201000100046） 摘要：砷化镓材料的特性使其在制备过程中容易产生缺陷，对大直径砷化镓单晶锭缺陷的研究至关重要。研究LEC（液封直拉法)制备砷化镓单晶发现，增加三氧化二硼的厚度、改善单晶炉内温场等措施能有效减少砷化镓晶体中缺陷的产生。作为发展最快的第二代半导体材料，砷化镓具有广阔的应用前景，本文以近年来半导体行业的发展为基础对砷化镓的未来进行了展望。 ABSTRACT: GaAs material properties make it prone to defects in the preparation process, the defects investigation of large diameter GaAs single crystal is essential. Researching LEC (liquid encapsulated Czochralski) Preparation of GaAs single crystal found that increasing the thickness of boron oxide, single crystal furnace temperature field improvements and other measures can effectively reduce the defects in gallium arsenide crystal . As the second generation of the fastest growing semiconductor material, gallium arsenide has broad application prospects.in this paper the future of gallium arsenide were discussed, based on he development of the semiconductor industry in recent years. 关键词：砷化镓 单晶生长 液封密封法 缺陷控制 应用前景 引言:GaAs是重要的III-V半导体化合物，由于其优越的性能，有日益广阔的应用前景， 国内外进行了广泛的研究。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs 单晶大直径、高质量的生产有了更高的要求。 1 制备工艺 目前III-V族化合物单晶主要从熔体中生长，生长方法与锗、硅大致相同。由于砷化镓在熔点时离解蒸气压较大，制备过程需要适当改变设备与工艺，控制砷气压防止熔体离解。基于GaAs材料的特殊性质，现制备GaAs单晶的主要方法有布里奇曼法、梯度冷凝法和液态密封法。液态密封法又称LEC（liquid encapsulation czochralski method）法，是目前拉制大直径III-V族化合物单晶最重要的方法。 1.1LEC法简介 为抑制砷元素的挥发，同时抑制砷化镓多晶合成前的砷的蒸气压，制备过程中使用如图所示的高压单晶炉。在高压炉内，将砷、镓原材料盛于石英干锅中，使用透明、惰性熔体氧化硼浮于砷化镓熔体表面起液封作用，再在惰性熔体上充以一定压力的惰性气体氩，使氧化硼上部气压大于熔体挥发性元素的离解气压，抑制挥发性组元的离解挥发。 1.2单晶制备工艺 LEC法制备砷化镓单晶的工艺流程如下: 装料： 图1.高压单晶炉 将镓放入镓杯中，与镓成1：1原子数之比的 砷放入砷泡中，将纯净的三氧化二硼放在石英坩埚内，封闭炉膛后抽真空。 脱水： 由于三氧化二硼具有强烈的吸水性，水能与镓在高温下发生反应，生成的氧化镓污染砷化镓，甚至破坏单晶生成，所以必须脱去三氧化二硼中的水，以高温真空中不冒水泡为准。在真空环境下，首先在低温除去大部分水，然后逐渐升温。但在800 ℃左右，三氧化二硼粘度很大，容易崩出来，需跳过此温区，以免损坏加热器，最后保持在900～1000℃间某恒温一段时间。 充氩和倒镓： 因镓在800℃能与石英锅发生反应，脱水完成后，降温至600～700 ℃，将纯净的氩气以一定气压充入炉膛，，然后将镓倒入坩埚。镓的纯度对成晶率有一定影响，在装炉前对镓杯加适度高温烘烤以出去氧化膜，防止氧化镓污染。 合成： 镓倒入以后，将砷泡移至坩埚上，利用热辐射或电阻丝