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第七章 晶体缺陷 非理想晶体结构 晶体缺陷 实际晶体中常存在各种偏离理想结构的区域，即晶体缺陷。晶体缺陷对晶体的性质起着重要作用。 存在于晶体结构中的缺陷，按几何特征可分为： 7.1 点缺陷 一、点缺陷的形式与分类 金属晶体中，点缺陷的存在形式有：空位、间隙原子，置换原子。 半金属Si、Ge中掺入三价和五价杂质元素，晶体中产生载流子，得到P型（空穴）和N型（电子）半导体材料。 离子晶体中，单一点缺陷的出现，晶体将失去电平衡。为了保持电中性，多以复合点缺陷形式出现，形成能较高。 按形成原因分为三类： 热缺陷 由原子的热振动，形变加工，高能粒子轰击等，此类点缺陷浓度受热力学控制，尤其前者与温度有关。 Cv＝ f（T） 杂质缺陷 如掺杂、氧化或其他原因引入的外来原子或分子。 非化学计量 离子晶体的陶瓷、金属间化合物，通常以化合物为基形成固溶体。成分在分子式AxBy左右变化，此类点缺陷称为非化学计量点缺陷。 电子陶瓷中的这类点缺陷浓度，会随周围环境发生变化，是制造检测元件（传感器）的基础。 二、点缺陷的平衡浓度 与线缺陷、面缺陷不同，点缺陷在热力学上是稳定的，其平衡浓度随温度升高而增加。 设晶体中原子的正常位置数N，空位数目为n ； 形成一个空位所需的能