实验六 电容-电压法测量p+n结的平均杂质浓度和杂.DOCVIP

实验六 电容-电压法测量p+n结的平均杂质浓度和杂质分布 实验项目性质：综合实验 所涉及课程：半导体物理， 微电子器件物理 计划学时：2学时 一、实验目的 1. 掌握电容-电压特性测试仪的使用 2. 通过测量p+n二极管电容与反向电压的关系， 测量硅p+/n 外延层的杂质浓度随深度的分布。 二、实验原理 对于一个 P+N的单边突变结。P区一边空间电荷区很窄，是因为掺杂浓度很高。空间电荷的宽度几乎全在n型半导体一边，其中正的空间电荷由电离施主构成，此空间电荷区称为耗尽层，如图1所示。 耗尽层的宽度取决于半导体的杂质浓度。平衡时耗尽层的宽度为： 当外加偏压时，耗尽层的宽度随外加电压的变化二变化： 耗尽层的厚度随外加电压的变化直接反映着耗尽层具有一定的电容，这个电容叫做二极管的势垒电容。耗尽层的两个界面可以看作平行板电容器的两个面板，其电容值可由下述关系表示： 势垒电容与低浓度一边的掺杂浓度成正比；与（Vbi-V）1/2成反比。 通常用pn结二极管和其他器件的C-V数据来确定器件的参数，特别是结轻掺杂一侧的平均杂质浓度和杂质分布。C-V测量在器件表征和测试中已经成为常规的手段。 现在分析C-V数据，假设测试器件是一个非对称掺杂的突变结。对于假定的结分布，将（2）代入（4）式两边求倒数 （5） （5）式表明1/CJ2与VA的关系应该是一条直线，斜率的倒数正比于NB，而且外推到1/CJ2=0处的截距等于Vbi。因此假设二极管的面积A是已知的，利用该图的斜率可以很容易地推导出NB。显然1/CJ2与VA的直线图也验证了可以用突变结来模拟该二极管。 显然，可以将前面的图形方法扩展到线性缓变和其他杂质分布上，但人们却很少这么做。正如该方法所显示出的，事先无需知道杂质分布的性质，就可以利用C-V数据直接推导出结轻掺杂一侧的杂质浓度随位置的变化关系。省略推导细节，只需要记住杂质浓度随位置的变化关系为 （6） （7） 其中x是结轻掺杂一侧离开冶金结的距离。注意，可将（5）式突变结关系式代入（6）式，得到的结果将与位置无关，这与预期的结果相一致。 此外，由于需要用到C-V数据的斜率和导数，所以结果容易受到噪声的影响。尽管如此，利用C-V确定杂质分布的方法实现起来相对简单，通常能得出有用的结果，因而得到了广泛的应用. 三、电容电压特性测试仪的使用 3.1 结构特征描述： 本仪器是台式的，装有减震器的机箱以便安放于桌上。坚固的注塑外壳经久耐用，采用贴塑面板新工艺，使其美观高雅。仪器内部由主板、电容显示板、偏置电压显示板、漏电流显示板、前置板、电源板和接口板七部分组成，均为高密度布置的印刷板，相互用电缆插头连接，结构设计合理，拆装方便。 在面板左上方是电容显示窗，左下方是开关和测试端，后板上装有保险座，三线插座和接地端子保证安全可靠。 3.2 前面板的控制器和指示灯（见图） 标号 说明 K 电源开关。按下为开电源，按起为关电源 K1 偏置电压加载按钮。刚开机时“去偏压”指示灯亮，表示CV-2000夹具上并无偏置电压，按下K1时“加偏压”指示灯亮，表示偏压已加至夹具上。再按一下K1，又可去除夹具上偏压 K2 测量键。刚开机时即处于测量状态。当进行开路校准及短路校准后需按下K2键，1秒后可见测量现实灯亮即可测量 K3 短路校准按钮。按下K3后L1上显示一个5同时校准及通过指示灯亮，然后在夹具插入短路块，接着按下K5一会，直到通过指示灯重新亮，拿出短路块，则短路校准完成 K4 开关校准按钮。按下后L1上显示一个0，同时校准及通过指示灯亮，按下K5一会，直到通过灯亮，表示开路校准完成 K5 校准触发按钮。K5结合K3、K4键一齐使用见K3、K4说明 L1 电容值显示屏 L2 偏置电压显示屏 L3 漏电流显示屏 W1 偏置电压粗调是多圈电位器。W1调节范围大，作为W2辅助调节，当W2向右旋尽后，就需要W1配合使用（见使用说明） W2 偏置电压微调是多圈电位器。W2调节幅度0-19V，如元件偏压不高，使用W2即可（此时W1左旋到底），如元件偏压较高，需结合W1使用（见使用说明） P 测试端接口 四、实验内容及步骤 4.1开机 仪器安装连接好后，把电源开关按到ON位置，电源接通，仪器执行自检程序。如果没有故障，测试指示灯亮。偏置电压指示状态为（电压去），虽然偏置电压有显示，但该电压尚未加到夹具上去。 4.2连接被测件 被测件引线应相当清洁且笔直，将它插入CV-2000测试座具即可。若测试件引线脏，必须先擦干净，以保证接触良好。 4.3零校准 由于温度变化或改变夹具，都会引起寄生电感变化，因此，在每天开机30分钟后，改