第4章放大电路的频率响应解说.pptVIP

例1 例1 例1 例2 例2 例题一 作业 4.1.5 4.2.1 4.3.1 4.4.2 4.3.2 共基和共集放大电路的高频特性 一、共基电路的高频特性 由于输入回路电容较共射电路要小(电容不存在密勒效应），且共基回路的输入电阻也相对较小，故共基电路的输入回路时间常数会远小于共射电路 因此共基电路电压增益的上截止频率要高于相同工作条件下的共射电路。 4.3.2 共基和共集放大电路的高频特性 一、共基电路的高频特性 4.3.2 共基和共集放大电路的高频特性 一、共基电路的高频特性 忽略 后共基放大电路电压增益的上限截止频率主要由输出回路决定。 对 的影响程度与 的大小有关； 为了扩展频带，除选用 高的管子外，共基极电路宜于恒流激励，而且 不宜过大。减小 增大 ，虽可提高 ，但中频增益将会下降。 4.3.2 共基和共集放大电路的高频特性 一、共基电路的高频特性 4.3.2 共基和共集放大电路的高频特性 二、共集电路的高频特性 结电容 跨接于输入、输出端之间，故可根据密勒定理来分析其影响。 由于共集电路的电压跟随特性， 的密勒效应较小，电路的上限截止频率相应会较高，高于相同条件下的共射放大电路。 由近似分析可知，用减小信号源内阻， 选基区体电阻较小的管子，增大负载电阻的方法可以提高共集电路的源电压增益上限截止频率。 4.3.2 共基和共集放大电路的高频特性 二、共集电路的高频特性 当信号源频率较低时，耦合电容、旁路电容的阻抗增加，从而使得增益的模值减小，相移增大。 分析可知，欲降低放大电路的下截止频率，应增加耦合电容的容量，增大放大电路的输入电阻和负载电阻。 直接耦合电路的下截频为零频。 4.3.3 放大电路的低频特性 第三节 双极型晶体管放大电路的频率特性 解：C1、 C2、 Ce影响低频特性，每个电容产生一个高通环节。 利用时间常数法，C1、 C2、 Ce中考虑一个电容时，可将其余两个短路。 （1）因为下限截止频率为0，所以电路为直接耦合电路； （2）当f ＝104Hz时，Δφ＝－135o； 当f ＝105Hz时，Δφ≈－270o 。 （3）f H1= f H2= f H3， 第二节 晶体管结电容对放大电路高频特性的影响 4.2.1 双极型晶体管的高频小信号模型 一、高频小信号模型 即混合π模型图中的输出端短路。 共射电流放大系数的定义为： 低、中频时可认为电容开路，电流 与频率基本无关。 二、晶体管的频率参数 4.2.1 双极型管的高频小信号模型 4.2.1 双极型管的高频小信号模型 低频值 低通因子 二、晶体管的频率参数 而 fT f? , 所以 参数 fT表征晶体管的高频放大能力。 特征频率 4.2.1 双极型管的高频小信号模型 二、晶体管的频率参数 管子不再有放大能力。 参数估算 4.2.1 双极型管的高频小信号模型 二、晶体管的频率参数 共基截止频率 参数 4.2.1 双极型管的高频小信号模型 二、晶体管的频率参数 在共基极电路中： 注意晶体管的混合π模型，其频率适用的范围一般在fT/3以内。 以上各频率与工作点有一定关系 4.2.1 双极型管的高频小信号模型 二、晶体管的频率参数 当20lgβ下降3dB时,频率f? 称为共发射极接法的截止频率 当β=1时对应的频率称为特征频率fT，且有fT≈β0f? 4.2.1 双极型管的高频小信号模型 二、晶体管的频率参数 4.2.2 MOS型场效应晶体管的高频参数 第二节 晶体管结电容对放大电路高频特性的影响 + - 根据场效应管的结构，在衬底与源极短接的情况下，其模型如下： 4.2.2 MOS型场效应晶体管的高频参数 第二节 晶体管结电容对放大电路高频特性的影响 高频时，由于电容的存在，栅极电流不再为0。 仿照双极型晶体管也可定义特征频率： 略去中间过程后： 分析可知，沟道长度越短，管子的高频放大能力就会越强。 第三节 双极型晶体管放大电路的频率特性 从该图中可以解出电压传输函数，但是结果非常复杂。 4.3.1 单管共射放大电路的高频特性 高频模型 4.3.1 单管共射放大电路的高频特性 一、共射放大电路的单向化等效电路 网络的一种等效变换关系，可以将跨接在网络输入端与输出端之间的阻抗分别等效为并接到输入端与输出端的阻抗。 密勒等效定理 4.3.1 单管共射放大电路的高频特性 密勒等效定理的变换方法 4.3.1 单管共射放大电路的高频特性 密勒等效定理 一、共射放大电路的单向化等效电路 4.3.1 单管共射放大电路的高频特性 可用中频增益近似,则 一、共射放大电路的单向化等效电路 4.3.1 单管共射放大电