第2章IC工艺扩散掺杂技术.pptVIP

Si双极npn晶体管芯片的工艺流程 局域掺杂和热处理技术（p。37） 第二章：扩散掺杂技术 第三章：热氧化技术第四章：离子注入技术第五章：快速热处理技术 基本内容! 1) 杂质在材料中的扩散机制，和影响扩 散系数的几种因数。 2）常见的几种施主和受主杂质以及一些 金属杂质在Si中的扩散。 3）扩散源和扩散系统。 4）实际的扩散工艺。 5）扩散工艺的质量检控和分析。 2.1.晶体中的杂质扩散 2.1. 1.基本扩散机理(模型) 1)间隙式扩散 间隙原子从一个间隙 位跳到邻近的间隙位， 造成原子的移动。 如：O、Fe、Au等 2）替位式扩散 杂质原子在晶 格中移动方式是由 一个晶格跳到下一 个晶格。 如：B、P、Au等。 替位式扩散需要杂质 原子的邻近位是一空位（空位交换）；或者，需要将邻近的替位原子推到邻近的间隙位。因此，这种扩散机制的扩散速率较慢。 3）其它扩散机制 a）直接交换 b）Kick-out机制 （page 45， Kick-out机制的 扩散速率一般超 过替位式扩散 如：Ni等。 扩散系数的普遍表达式：