集成电路制造技术：扩散.pptVIP

 扩 散 扩散 杂质掺杂 掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧姆接触 磷(P)、砷(As) —— N型硅 硼(B) —— P型硅 掺杂工艺：扩散、离子注入 扩散 扩散是微电子工艺中最基本的工艺之一，是在约1000℃的高温、p型或n型杂质气氛中，使杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，达到一定浓度，实现半导体定域、定量掺杂的一种工艺方法，也称为热扩散。 目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导体导电类型，电阻率，或形成PN结。 Doped Region in a Silicon Wafer 内容题要 5.1扩散机构 5.2晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程 5.3杂质的扩散掺杂 5.4热扩散工艺中影响杂质分布的其它因素 5.5扩散工艺条件与方法 5.6 扩散工艺质量与检测 5.7 扩散工艺的发展 5.1 扩散机构 扩散是物质内质点运动的基本方式，当温度高于绝对零度时，任何物系内的质点都在作热运动。 杂质在半导体中的扩散是由杂质浓度梯度或温度梯度（物体中两相的化学势不相等）引起的一种使杂质浓度趋于均匀的杂质定向运动。 扩散是一种传质过程，宏观上表现出物质的定向迁移。 扩散是一种自然现象，是微观粒子热运动的形式，结果使其浓度趋于均匀。 固相扩散工艺 微电子工艺中的扩散，是杂质在晶体内的扩散，是固相扩散工艺。 固相扩散是通过微观粒子一系列随机跳跃来实现的，这些跳跃在整个三维方向进行，主要有三种方式 间隙式扩散 替位式扩散 间隙—替位式扩散 间隙式扩散 替位式扩散 间隙-替位式扩散 许多杂质即可以是替位式也可以是间隙式溶于晶体的晶格中，并以间隙-替位式扩散。 这类扩散杂质的跳跃率随空位和自间隙等缺陷的浓度增加而迅速增加。 间隙-替位式扩散 5.2晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程 固体中的扩散基本特点 （1）固体中明显的质点扩散常开始于较高的温度，但实际上又往往低于固体的熔点。 （2）晶体结构将以一定的对称性和周期性限制着质点每一步迁移的方向和自由行程。 5.2.2 扩散方程 在单位时间内通过垂直于扩散方向的单位面积上的扩散物质流量为扩散通量（Diffusion flux，kg / m2 ·s），用J表示。 扩散通量其与该截面处的浓度梯度成正比。 比例系数D定义为杂质在衬底中的扩散系数。 菲克第二定律 Fick第二扩散定律 5.2.3 扩散系数 D0为表观扩散系数 Ea为扩散激活能 在低浓度下硅和砷化镓中各种掺杂剂杂质的实测扩散系数 根据杂质在晶体中的扩散系数分 ?快扩散杂质：H，Li, Na, Cu, Fe, K, Au, He, Ag, ?慢扩散杂质：Al, P, B, Ga, Ti, Sb，As 在高温工艺中，如扩散、外延，掺杂元素的扩散系数小些好 一些杂质在硅〈111〉面中的扩散系数 5.3杂质的扩散掺杂 扩散工艺是要将具有电活性的杂质，在一定温度，以一定速率扩散到衬底硅的特定位置，得到所需的掺杂浓度以及掺杂类型。 两种方式：恒定表面源扩散和限定表面源扩散 扩散工艺重要的工艺参数包括： ①杂质的分布 ②表面浓度 ③结深 ④掺入杂质总量 恒定表面源扩散 恒定表面源是指在扩散过程中，硅片表面的杂质浓度始终是保持不变的。 恒定表面源扩散指硅一直处于杂质氛围中，硅片表面达到了该扩散温度的固溶度Cs。 解扩散方程： 初始条件为：C(x，0)=0，x0 边界条件为：C(0，t)=Cs C(∞，t)= 0 恒定表面源扩散杂质分布情况 恒定表面源扩散 erfc称为余误差函数。 恒定源扩散杂质浓度服从余误差分布，延长扩散时间： ①表面杂质浓度不变； ②结深增加； ③扩入杂质总量增加； ④杂质浓度梯度减小。 有限表面源扩散 指杂质源在扩散前积累于硅片表面薄层δ内， Q为单位面积杂质总量，解扩散方程： 边界条件:C(x,0)=Q/δ , 0xδ C(∞,t)=0 初始条件：C(x,0)=0, x0 有限表面源扩散 有限源扩散杂质浓度是一种高斯函数分布。 延长扩散时间(提高扩散温度T )： ①杂质表面浓度迅速减小；②杂质总量不变； ③结深增加； ④杂质浓度梯度减小。 实际扩散工艺 一步工艺 是惰性气氛下的恒定源扩散，杂质分布服从余误差函数； 两步工艺 分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。 预淀积是惰性气氛下的恒定源扩散，目的是在扩散窗口硅表层扩入总量Q一定的杂质。 再分布是氧气氛或惰性气氛下的有限源扩散，将窗口杂质再进一步向片内扩散，目的是使杂质在硅中具有一定的表面浓度