第1章半导体器件(阅读).pptVIP

漂移运动：两种载流子（电子和空穴）在电场的作用下产生的运动。其运动产生的电流方向一致。 扩散运动：由于载流子浓度的差异，而形成浓度高的区域向浓度低的区域扩散，产生扩散运动。 当反向电压超过反向击穿电压UB时，反向电流将急剧增大，而PN结的反向电压值却变化不大，此现象称为PN结的反向击穿。有两种解释： 雪崩击穿：当反向电压足够高时（U6V）PN结中内电场较强，使参加漂移的载流子加速，与中性原子相碰，使之价电子受激发产生新的电子空穴对，又被加速，而形成连锁反应，使载流子剧增，反向电流骤增。 齐纳击穿：对掺杂浓度高的半导体，PN结的耗尽层很薄，只要加入不大的反向电压（U4V），耗尽层可获得很大的场强，足以将价电子从共价键中拉出来，而获得更多的电子空穴对，使反向电流骤增。 在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求 取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小，这一关系见图02.08。 图02.08 值与IC的关系 图 02.07 在输出特性曲线上决定 b.共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/?1+ ?IB= /?1+ ? ②极间反向电流 a.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 b.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向 饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。如图02.09所示。 图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置 2、交流参数 ①交流电流放大系数 a.共发射极交流电流放大系数? ?=?IC/?IB?vCE=const 在放大区? 值基本不变，可在共射接法输出 特性曲线上，通过垂 直于X 轴的直线求取 ?IC/?IB。或在图02. 08上通过求某一点的 斜率得到?。具体方 法如图02.10所示。 图02.10 在输出特性曲线上求β b.共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。 ②特征频率fT 三极管的?值不仅与工作电流有关，而且与 工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的?将会下降。当?下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。 3、极限参数 ①集电极最大允许电流ICM 如图02.08所示，当集电极电流增加时，? 就 要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％ 时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 流ICM。至于?值下降多少，不同型号的三极管， 不同的厂家的规定有 所差别。可见，当 IC＞ICM时，并不表 示三极管会损坏。 图02.08 值与IC的关系 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见下图。 图02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 (2) 反向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。 反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≤VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗