第2章逻辑门电路(免费阅读).pptVIP

四、TTL与CMOS器件之间的接口问题 两种不同类型的集成电路相互连接，驱动门必须要为负载门提供符合要求的高低电平和足够的输入电流，即要满足下列条件： 驱动门的VOH（min）≥负载门的VIH（min） 驱动门的VOL（max）≤负载门的VIL（max） 驱动门的IOH（max）≥负载门的IIH（总） 驱动门的IOL（max）≥负载门的IIL（总） （b）用TTL门电路驱动5V低电流继电器，其中二极管D作保护，用以防止过电压。 （2）对于或非门及或门，多余输入端应接低电平，比如直接接地；也可以与有用的输入端并联使用。 3．一端消去或加上小圆圈，同时将相应变量取反，其逻辑关系不变。 本章小结 1．最简单的门电路是二极管与门、或门和三极管非门。它们是集成逻辑门电路的基础。 2．目前普遍使用的数字集成电路主要有两大类，一类由NPN型三极管组成，简称TTL集成电路；另一类由MOSFET构成，简称MOS集成电路。 3．TTL集成逻辑门电路的输入级采用多发射极三级管、输出级采用达林顿结构，这不仅提高了门电路的开关速度，也使电路有较强的驱动负载的能力。在TTL系列中，除了有实现各种基本逻辑功能的门电路以外，还有集电极开路门和三态门。 4．MOS集成电路常用的是两种结构。一种是NMOS门电路，另一类是CMOS门电路。与TTL门电路相比，它的优点是功耗低，扇出数大，噪声容限大，开关速度与TTL接近，已成为数字集成电路的发展方向。 5．为了更好地使用数字集成芯片，应熟悉TTL和CMOS各个系列产品的外部电气特性及主要参数，还应能正确处理多余输入端，能正确解决不同类型电路间的接口问题及抗干扰问题。 1. CMOS反相器的工作原理 V DD T P T N v O v I V DD T P T N v O v I 当vI = 0 V时 VDD 1. CMOS反相器的工作原理 VGSN =0 ＜ VTN TN管截止； |VGSP|=VDD＞VTP 电路中电流近似为零（忽略TN的截止漏电流）,VDD主要降落在TN上，输出为高电平VOH TP管导通。 ≈VDD V DD T P T N v O v I 当vI =VOH= VDD时 1. CMOS反相器的工作原理 VGSN =VDD VTN TN管导通； |VGSP|= 0 VTP TP管截止。 此时，VDD主要降在TP管上，输出为高电平VOL : 2. CMOS反相器的特点 V DD T P + v SGP v O v I + – – T N i D 因而CMOS反相器的静态功耗极小（微瓦数量级）。 T1和T2只有一个是工作的， 3. CMOS反相器的工作速度 在电容负载情况下，它的开通时间与关闭时间是相等的，这是因为电路具有互补对称的性质。 平均延迟时间：10ns 小 小 2.6.2 CMOS 门电路 1、与非门 二输入“与非”门电路结构如图 每个输入端与一 个 NMOS管和一个PMOS管的栅极相连 当A和B为高电平时: 1 两个并联的PMOS管T3、T4 两个串联的NMOS T1、T2 通 通 止 止 0 1 0 1 通 止 通 1 止 当A和B有一个或一个以上为低电平时: 电路输出高电平 输出低电平 ? 电路实现“与非”逻辑功能 2. 或非门电路 T P2 B A T N2 T N1 V DD L 1 当A、B全为低电平时 2.6.2 CMOS 门电路 0 0 输出为高电平时 2. 或非门电路 当输入端A、B都为高电平时， 当A、B全为低电平时， 2.6.2 CMOS 门电路 当A、B中有一个为高电平时 T P2 B A T N2 T N1 V DD L 0 1 1 输出为高电平时 输出为低电平时 输出必为低电平时 3. 异或门电路 V DD B A L = A ? B X 由或非门和与或非门组成 同或门？ 2.4.4 CMOS传输门 1. CMOS传输门电路 (TG) 是一种传输信号的可控开关，截止电阻107Ω，导通电阻几百Ω，所以是一个理想的开关。 结构对称，其漏极和源极可互换，它们的开启电压|VT|=2V 。 它广泛地用于采样?保持电路、 斩波电路、模数和数模转换电路等。 由互补的信号电压来控制，分别用C和 C 表示。 2、CMOS传输门电路的工