第3章5光刻.pptVIP

3.5.2 分辨率 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。设光刻加工的线条宽度为L，其分辨率为R，则有： R=1/L(mm-1) R表示每毫米中线宽为L的线条数目。在分辨率的描述中常用线宽与线条间距相等的情况： R=1/（2L）(mm-1) 光刻的分辨率受到光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 光刻的分辨率受受光源衍射的限制 由测不准原理可得： 误差为： △L≧?/2 则最高分辨率：Rmax≦1/?(mm-1) 对于其他粒子： 粒子动能： 动量：p=mv 则： 粒子的德波罗意波长： 最细线条： 对光子： 对电子： 对离子： M是离子的质量，MP是质子的质量 3.5.3 紫外线曝光 通常使用汞弧光灯所产生的紫外光作为步进曝光机的光源。考虑光刻胶及光学系统的影响： K1是与光刻胶材料及工艺相关的常数，NA是曝光机光学系统的光圈值。 聚焦深度： K2是另一个与光刻胶有关的常数，要在硅晶片上获得良好的图形，要有小的最小线宽，一定的聚焦深度。两者要兼顾。 目前常用的光源波长为：436nm（G线）和365nm（I线）。 当使用I线时，NA≈0.5,K1≈0.65, K2≈1.0。 曝光机能提供的最佳线宽为0.47?m，聚焦深度为：1.46 ?m 目前采用248nm、 193nm的准分子激光已刻出0.18um,0.13um的线 EUV（甚远紫外线） 采用13nm的甚远紫外线将进入亚0.1um时代 EUV联盟 3.5.4 X射线曝光与电子束曝光 1 X射线曝光 X射线的波长远比紫外光要短，因此在理论上可以提供更好的最小线宽，但因X射线不易被聚焦，投影式系统很难应用，X射线曝光的光刻采用接近式。 点光源尺寸引起的半阴影，在光刻胶不同位置引起的几何偏差 2 电子束曝光 电子束曝光是利用聚焦后的电子束在感光膜上正确扫描出图案的方法。 优点： （1）电子束的波长很小，衍射现象可以忽略不计。 （2）能在计算机的控制下，不用掩摸在晶硅片上生成亚微米级的图案。 （3）可用计算机进行不同图案套刻，精度很高。 缺点：效率太低，同时电子在光刻胶中的散射也降低了分辨率 展望： 在亚0.1?m加工技术中，有两种光刻技术前景最好，即：甚远紫外线（EUV）和电子束分步投影光刻。除此之外，软X射线和离子束光刻技术也是比较有发展前景的亚0.1?m的光刻技术。 甚远紫外线（EUV）光刻是距实用最近的一种深亚微米光刻技术。它仍采用分步投影光刻系统。目前已采用248nm,193nm的准分子激光光源，13nm也在研究之中。 用光刻方法制成的微图形，只给出了电路的行貌，并不是真正的器件结构。因此需将光刻胶上的微图形转移到胶下面的各层材料上去，这个工艺叫做刻蚀。通常是用光刻工艺形成的光刻胶作掩模对下层材料进行腐蚀，去掉不要的部分，保留需要的部分。 需要刻蚀的物质：SiO2 、Si3N4、Polysilicon和铝合金及Si 要求：图形的保真度高、选择比好、均匀性好、清洁。 刻蚀技术可分成两大类： 温法腐蚀：进行腐蚀的化学物质是溶液； 干法腐蚀(一般称为刻蚀)：进行刻蚀的化学物质是气体。 3.5.5 刻蚀工艺（Etching) ——去除无保护层的表面材料的工艺 刻蚀工艺——湿法刻蚀 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法，用在线条较大的IC(≥3mm)； 优点：选择性好；重复性好；生产效率高；设备简单；成本低； 缺点：钻蚀严重；各向同性，对图形控制性差，并且要使用大量有毒与腐蚀的化学药品。 广泛应用在半导体工艺中：磨片、抛光、清洗、腐蚀； 刻蚀工艺——干法刻蚀 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 优点：各项异性好，可以高保真的转移光刻图形； 主要有溅射与离子束铣蚀、等离子刻蚀、反应离子刻蚀等。 溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差。 等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差。 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching：简称为RIE)：通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前，RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术。 2.反应离子刻蚀（RIE） 是一种介于溅射与等离子刻蚀之间的干刻蚀技巧。同时用物理和化学两种反应去除薄膜