第3章半导体二极管及其基本应用电路(精编).pptVIP

3 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 2 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 4　二极管的代表符号 D 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 ( c ) 平面型 3.2.2二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的伏安特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 开启电压：0.5V 导通电压：0.7 1.伏安特性 锗二极管2AP15的伏安特性 Uon U(BR) 开启电压：0.1V 导通电压：0.2V 2.温度对二极管伏安特性的影响 在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反向特性将下移。 二极管的特性对温度很敏感。 – 50 I / mA U / V 0.2 0.4 – 25 5 10 15 –0.01 –0.02 0 温度增加 3.2.3 二极管的主要参数 1.最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2.最高反向工作电压UR 二极管工作时允许外加的最大反向电压。通常是击穿电压U（BR）的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管未击穿时的反向电流。IR与温度有关，越小越好 4.最高工作频率fM 二极管正常工作时允许通过的交流信号的最高频率,超过此值,二极管的单向导电性将不能很好地体现。 3.2.4 二极管的等效电路 1.伏安特性的折线化及等效电路（实线为折线化）　 理想模型 恒压降模型 折线模型 例3.2.1 电路如图所示，UD=0.7V，试估算开关断开和闭合输出电压UO 。 V1=6V V2=12V D S R Uo 应用举例 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） VDD=10V 时 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 Analog Electronic 第3章 半导体二极管及其基本应用电路 本章重点 1.二极管的单向导电性、稳压管的原理。 本章讨论的问题： 1为什么采用半导体材料制作电子器件？ 2.什么是N型半导体？什么是P型半导体？ 　当二种半导体制作在一起时会产生什么现象？ 3. PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具有单向性？在PN结中加反向电压时真的没有电流吗？ 3.1 半导体的基础知识 3.1.1 本征半导体 1.导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡胶、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。 例如： 当受外界热和光的作用时， 它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 热敏性和光敏性 掺杂性 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体 将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 价电子 共价键 图 3.1.1　本征半导体结构示意图 2.本征半导体的晶体结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 图 3.1.2　本征半导体中的 　　　　 自由电子和空穴 自由电子 空穴 T ? 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 3.本征半导体中的两种载流子 （动画1-1） （动画1-2） 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 本征半导体的导电原理 +4 +4 +4 +4 在电场的作用下，一方面，自由电子将产生定向移动，形成电子电流，另一方面，价电子将按一定的方向依次填补空穴，其效果相当于空穴向相反的方向产生定向移动，形成空穴电流，因此，空穴可看作是一种载流子。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 　　空穴可看成带正电的载流子。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 4、本征半导体中载流子的浓度 本