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第四章 微机及测控技术 闪存也称快擦写存储器,有人也简称之Flash。 Flash Memory属于EERPOM类型 ,有很高的存取速度,而且易于擦除和重写,而且可以选择删除芯片的一部分内容。 4.3.3 Flash Memory 第四章 微机及测控技术 4.3.4 典型的ROM芯片 EPROM 2764引线图 第四章 微机及测控技术 第四章 微机及测控技术 一、连接时应考虑问题 CPU对存储器进行读写操作,首先CPU给出地址,然后发出相应的读写控制信号,最后才能在数据总线上进行信息交换。所以CPU与存储器相连有三个部分: (1)地址线的连接 (2)数据线的连接 (3)控制线的连接 具体连接时要注意如下问题: 4.4 存储芯片的扩展及与CPU的连接 第四章 微机及测控技术 (1)CPU总线的负载能力 CPU通过总线与数片存储器和I/O芯片相连,而这些芯片可能为TTL器件或为MOS器件,所以构成系统时CPU总线能否支持其负载时必须要考虑的问题。 目前存储器基本上MOS器件,直流负载很小,在小型系统中,CPU可直接和存储器相连;而在大型系统中,需要加入缓冲器或总线驱动器来增加总线的驱动能力。 第四章 微机及测控技术 (2)CPU的时序与存储器存取速度的配合问题 CPU访问存储器由其固定的时序,而存储器有一定的存取时间,一般以CPU的时序来确定对存储器存储速度的要求;在存储芯片已确定的情况下,则应考虑是否插入等待周期。 第四章 微机及测控技术 扩展的基本步骤: (1)选择合适的存储芯片,对芯片容量进行扩展 在进行芯片扩展时,要根据要扩展的存储空间总容量和可供选用的存储芯片容量,计算出所需要的存储芯片数目,可根据如下公式计算: 第四章 微机及测控技术 位扩充:当实际存储芯片每个单元的位数和系统需要内存单元字长不等时采用的方法。如用两片2114(1K ×4)构成一个1KB的内存。 字扩充:当存储芯片上每个存储单元的字长已满足要求,但存储单元的个数不够,需要增加的是存储单元的数量,就称为字扩展。例如需要内存容量是16KB,则需要2片6264(8K×8)字位扩充:需要同时进行位扩充和字扩充才能满足系统存储容量需求的方法称为字位扩充。 第四章 微机及测控技术 (2)将存储芯片的各类引脚与CPU相连 存储芯片的引脚可分为以下几种: 地址引脚 地址引脚数目和存储单元之间的关系:n和 数据引脚 数据引脚数目等于存储单元位数 控制引脚 片选信号和读写控制引脚 其它引脚 电源和地线 第四章 微机及测控技术 与CPU地址总线的连接 一般从CPU地址总线的最低位A0 开始,依次送往存储芯片,存储芯片上有多少个引脚就送多少个地址线。 除了连接到存储芯片上的地址线外,剩余CPU地址线的全部或一部分经过译码后,和存储芯片的片选信号相连。 线选法:利用CPU的高位地址线中的一条直接和片选信号相连。 完全译码法:将CPU地址线中除了跟存储芯片地址线相连的剩余的全部高位地址译码产生片选信号。 部分译码法:将CPU地址线中除了跟存储芯片地址线相连的剩余的高位地址线的一部分进行译码产生存储芯片的片选信号。 第四章 微机及测控技术 与CPU控制线的连接 CPU的读写控制信号和存储芯片的读写控制信号相连,以保证对存储芯片的读写操作。 (3)根据连线确定各芯片地址范围 与CPU数据线的连接 CPU的数据线和存储芯片的数据线相连,以完成数据信息的传送。 第四章 微机及测控技术 A B C G2A/ G2B/ G1 GND Y7/ VCC Y0/ Y1/ Y7/ Y4/ Y5/ Y6/ Y2/ 第四章 微机及测控技术 例1:进行地址译码时,若某块存储芯片采用部分译码法,且有3根地址线没用,这意味着每个单元有几个地址号? 例2:某数据段位于以70000起始的存储区,若该段的长度为64KB,其末地址是( )。 例3:一个有16字的数据区,其起始地址为70A0:DDF6H,则该数据区末字单元的物理地址为( )。 例4:计算机的主内存有3K字节,则内存地址寄存器需( )位就足够。 例5:若256KB的SRAM具有8条数据线,那么它具有( )地址线。 * * 第四章 微机及测控技术 第4章 半导体存储器 本章学习目标 通过本章的学习,应当掌握以下内容: ?存储器分类 ?RAM、ROM的工作原理 ?常用的存储芯片基本结构 ?存储芯片与CPU的连接 第四章
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