第七章其它化学合成方法3.pptVIP

2、光刻与刻蚀 光刻与刻蚀是一种图形复印和刻蚀相结合的精密表面加工技术 就是要按照器件设计的要求，在半导体薄膜上面，形成与掩模版完全对应的几何图形，以实现选择性刻蚀以获得相应结构的目的 光刻工艺大致包括涂胶（匀胶或甩胶），前烘，曝光，显影，坚膜等工序。 光刻与刻蚀 硅晶片的光刻与刻蚀工艺流程示意图 1、光刻的具体工艺 甩胶工序是在晶片表面形成适当厚度的均匀的光刻胶 前烘则使光刻胶中的水分蒸干 曝光则是让紫外光透过模板使光刻胶的化学性质发生改变，使相应部分能够被显影液溶解 显影则是要将曝光过后的胶用显影液处理过，让该去掉的地方被溶解掉。 坚膜工艺是要使光刻胶在较高的温度下变得坚固紧密，在后面的腐蚀工艺中能够相当地牢靠 2、刻蚀 刻蚀包括化学腐蚀和干法刻蚀 化学腐蚀 化学腐蚀液通过化学反应腐蚀掉需要去掉的部分 不需要被腐蚀的地方有光刻胶或介质掩模保护 简单易行，缺点是腐蚀控制不精确，有侧蚀问题 干法刻蚀 反应气体在等离子体条件下形成活化原子，在电场作用下定向运动与半导体材料进行化学反应，反应生成物为气体被排出，达到定向刻蚀的目的 通常有RIE（反应离子刻蚀），RIBE（反应离子束刻蚀），ICP（感应耦合型等离子体）等方法 干法刻蚀一般需要用光刻胶或SiO2等介质膜作为掩模 干法刻蚀的突出优点是没有侧蚀问题，而且腐蚀深度可以精确控制 3、溅射成膜和离子镀 薄膜是在基片上形成厚度从