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集成电子技术基础教程 场效应晶体管及其电路分析 第一篇 电子器件基础 1.3.1场效应晶体管结构特性与参数 1、绝缘栅场效应管(IGEFT) NMOS增强型结构示意图与电路符号 （2）三个集：源集，栅（门）集，漏集 （1）二个PN结：衬源，衬漏 工艺特点： 源漏高掺杂 栅绝缘电阻大 NMOS结构 1、绝缘栅场效应管(IGEFT)（续） PMOS增强型结构示意图与电路符号 （2）三个集：源集，栅（门）集，漏集 （1）二个PN结：衬源，衬漏 工艺特点： 源漏高掺杂 栅绝缘电阻大 2、NMOS增强型工作原理 （1）VGS增加形成反型层，大于VT产生沟道，漏源之间形成导电通路 **衬源和 衬漏之间加反向偏置** 2、NMOS增强型工作原理（续1） （2）加入VDS形成漏源电流 2、NMOS增强型工作原理（续2） （3）继续加大VGS， 沟道变宽，沟道R变小，ID增加 **场效应管是电压控制型器件** **场效应管导电由N+的多子形成，单极型器件，T特性好** NMOS工作原理1 2、NMOS增强型工作原理（续3） （4）继续加大VDS， ID适当增加，源-漏电位逐步升高，沟道预夹断 2、NMOS增强型工作原理（续4） （5）预夹断后继续加大VDS，沟道夹断，ID恒定 **漏源增加的电压降在夹断区** NMOS工作原理2 3、N沟道耗尽型MOSFET （1）SIO2中预埋正离子 （3）υGS负到V GS(off)(VP示)，沟道消失 （2）VGS=0时就存在内建电场，形成沟道 4、结型场效应管(JFET) （1）N沟道和P沟道JFET结构与符号 **JFET正常工作时，两个PN结必须反偏 ** **NJFET ** **PJFET ** （2）N沟道JFET的工作原理 **VDD=0，沟道宽度随VGG增而窄，沟道R增，ID降，耗尽型** （2）N沟道JFET的工作原理（续1） **VGG不变，VDD增加，沟道上窄下宽ID线性增，直至预夹断** **初始沟道宽度由VGG决定** （2）N沟道JFET的工作原理（续2） **VGG不变，预夹断后VDD增加，增加的电压降在沟道上，ID不变** 5、场效应管类型 （1）绝缘栅型（Insulated Gate Type） FET N沟道（Channel）增强（Enhancement）型MOS N沟道耗尽（Depletion）型MOS P沟道增强型MOS P沟道耗尽型 MOS （2）结型（Junction Type）JFET N沟道(耗尽Depletion)型JFET P沟道(耗尽Depletion)型JFET 场效应管的电路参数 输出特性 输入特性： 场效应管的电气特性：电压控制电流 （2）给出输出特性曲线 （1）给出转移特性ID与VGS关系 场效应管的电路模型 VGS决定电路输出工作状态 （1） VGS VT ，截止状态ID=0 （2） VGS VT ,且VDS VGS – VT 放大工作状态 （3） VGS VT ,且VDS VGS – VT 可变电阻状态 3、场效应管工作状态估算 例1:VDD=18V,Rs=1KΩ，Rd=3KΩ，Rg=3MΩ，耗尽型MOS管的VP=-5V,IDSS=10mA。试用估算法求电路的静态工作点 例2:分压式自偏压共源放大电路中，已知转移特性，VDD=15V,Rd=5kΩ,Rs=2.5kΩ,R1=200kΩ，R2=300kΩ，Rg=10MΩ，负载电阻RL=5kΩ，并设电容C1、C2和Cs足够大。已知场效应管的特性曲线试用图解法分析静态工作点Q，估算Q点上场效应管的跨导gm （1）输入回路方程 VGSQ=3.5V IDQ=1mA （2）输出回路方程 例5：分析图示VGS=2/4/6/8/10V/12V时，场效应管工作区 (1)由图可知VT=4V, 当VGSVT工作在截止区 VGS=2/4V工作在截止区. (2) VGSVT(4V)工作在放大区或可变电阻区 **显然4 VGS10V放大区,VGS10V可变电阻区 (3) **恒流区内ID近似只受VGS控制 例6：N沟道结型场效应管和 PNP双极型三极管组成的恒流源电路。估算恒流值.(设IDSS=2mA,夹断电压VP=-4V) **假定在恒流区 场效应管分类与符号 绝缘栅型 N沟道 P沟道 结型 N沟道耗尽型 P沟道耗尽型 ·增强型 耗尽型 ·增强型 耗尽型 N沟道伏安特性 P沟道伏安特性 N沟道VGS越正越导通 P沟道VGS越负越导通 增强型MOS管VGS与VDS极性一致 耗尽型MOS管VGS可取正或负 结型场效应管（耗尽） VGS与VDS极性相反 集成电子技术基础教程