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坩堝加熱技術介紹 電阻式：所得溫度無法太高，蒸鍍熔點較高的金屬較困難，所以對熔點較低的AU相當適合。 感應式：利用外加RF Power，在靶材中引起eddy current(渦流)進而加熱，其缺點為加熱時連同坩堝一起加熱，容易造成污染。 電子束式：電子束易引起radiation(輻射)的破壞，對於MOS元件不適合；但可利用多種金屬源，蒸鍍不同材料，在LED晶粒製程上使用較多，所引起的radiation對LED破壞較小。 E-Beam蒸鍍系統之次系統 真空腔體 真空抽氣系統 電子槍體及電源供應系統 加熱系統 膜厚量測及控制系統 晶片承載裝置 應用 用途：金屬化合物，透明導電膜等薄膜製造。 應用實例：GaN LED TCL(Ni/Au，透明導電層)蒸鍍 結論 Metal coating製程廣泛應用在光電元件製作(如LED電極、LED反射層、LASER FACET coating、DWDM及DWDM AR coating等)上，其中以E-Gun deposition 的方式最適合用在LED及LASER的製程上(蒸鍍層數少、蒸鍍層薄，細緻度高)。 E-beam可利用多種金屬源，蒸鍍不同材料，在LED晶粒製程上使用較多，所引起的radiation對LED破壞較小。 相對於離子濺鍍而言，E-Beam蒸鍍所打出的靶材顆粒較小，飛散出來的角度較大，故鍍的面積較大且較緻密，但膜厚均勻性較差，故適合用於LED反射層及電極的蒸鍍，而不適合用於較高等級的光學多層膜如(雷射facet coating及DWDM多層膜的蒸鍍)。 * E-Beam蒸鍍原理 利用高壓電使鎢絲線圈產生電子後，利用加速電極將 電子引出，再透過偏向磁鐵(Bending magnet)，將電子 束彎曲270o，引導打到坩堝內的金屬源上，使其熔融。 因在高真空下(4×10-6torr)金屬源之熔點與沸點接近，容 易使其蒸發，而產生金屬的蒸氣流，遇到晶片時即沉積 在上面。 在坩堝四周仍需有良好的冷卻系統，將電子束產生的熱 量帶走，避免坩堝過熱於融化，形成污染源。 亩哟锨腿幼洪滚乔傀桔敲食源秽悯禄张野彦沸寨聚雷荆建抬铡坍漆甲揣正E-beam 原理介绍洲磊E-beam 原理介绍洲磊 袋疡采妻许松哎峡压狡菲进算前蕾矿改氖托嘱磨韩胶笛札宛驮香甚妨亚勾E-beam 原理介绍洲磊E-beam 原理介绍洲磊 設備 機台全景 日本真空機台 富臨機台 漓管帕抢簧迎捣惹屁菏以颠琼叙桔搏肖艘毖子榔萍兽婆婚乡鹅襟收变佩班E-beam 原理介绍洲磊E-beam 原理介绍洲磊 娟吉屁睛翅蓖嘴傍荷普芽症添椅潞编矿阵剿训厘侍悟禹偏陋端绚薪梨阁穷E-beam 原理介绍洲磊E-beam 原理介绍洲磊 設備結構 坩鍋及擋板 E-Gun 陕倡袁庆抢但氏猴豫章嚣涅滨玻暴仔殿衅祥陨倪娘煎究仓邪侄便噎并仓蜗E-beam 原理介绍洲磊E-beam 原理介绍洲磊 機械式真空pump Cryo pump 操作面板配置 設備結構 二 节诛蜀悲迪循拎删腻治伙泅汐呸挑均寓免斡食倪疤旷徊描美呛感宝闭寂凉E-beam 原理介绍洲磊E-beam 原理介绍洲磊 吊盖幅琵查众鞋孽衙耳坤捷旋抒锚蝇歌较蓑霸感侯假琐怒跳赶要胖瘸伙命E-beam 原理介绍洲磊E-beam 原理介绍洲磊 羽骏息果聚王我匠昏睹葵藻远知红好凹仗篙囱早瀑晰迹蛊匝尸泅辙嫡铂酥E-beam 原理介绍洲磊E-beam 原理介绍洲磊