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苏州科技学院 毕业论文开题报告 论文题目 磁控溅射法制备NiCr 薄膜 院 系 数理学院 专 业 应用物理学系 学生姓名 赵春武 学 号 0920112208 指导教师 沈娇艳 2013年 月 日  1．研究的背景、目的及意义 背景：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。 目地：本文应用磁控溅射法制备不同制备条件下的NiCr薄膜并研究其物理性能。 意义：磁控溅射技术的出现很好地满足了半导体器件多层复台金属膜的需求，形成了良好的欧姆接触、整流接触，大大地提高了器件的成品率．对降低器件成本