等离子体浸没离子注入论文等离子体浸没离子注入充电效应PICMCC模型混合PIC圆柱形介质圆管.docVIP

【关键词】等离子体浸没离子注入 充电效应 PIC-MCC模型 混合PIC 圆柱形介质圆管 【英文关键词】Plasma Immersion Ion Implantation Charging effects Particle In Cellplus Monte Carlo Collision(PIC/MCC)model Hybrid PIC Cylindrical dielectric tube 等离子体浸没离子注入论文：等离子体浸没离子注入介质靶鞘层特性的粒子模拟研究 【中文摘要】等离子体浸没离子注入(plasma immersion ion implantation,简称PⅢ)是在传统的束线离子注入(PBⅡ)的基础上提出的一种新的离子注入技术,由于其具有成本低、设备简单、易操作、适合处理复杂形状样品等诸多优点,在材料表面改性、半导体和微电子材料加工等方面得到广泛的应用。然而,由于介质材料的导电性能较差,在对介质材料进行表面改性时容易出现注入离子电荷在表面积累的现象,出现充电效应,从而导致注入离子能量达不到预期负脉冲电压幅值,严重影响注入效果；同时,对于空心圆柱形介质圆管的内表面的离子注入过程,除了充电效应,随着离子注入过程的进行,介质圆管内的鞘层不断向圆管中心扩展,鞘层在圆管中心会出现重叠现象,导致离子的注入剂量和注入能量降低。