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第四章　非晶矽太陽能電池　P 118 4-3-5非晶矽太陽能電池的模組製程技術 圖4-16 太陽能電池及其模組，連接一個防逆二極體元件的等效電路示意圖 * 　第四章　非晶矽太陽能電池 4-1 非晶矽太陽能電池的發展及其演進 4-2 非晶矽太陽能電池的基本結構及其特性 4-3 非晶矽太陽能電池的製程技術 內容大綱 本章節將討論以及探討的內容，主要有三大部分： 非晶矽太陽能電池的發展及其演進 非晶矽太陽能電池的基本結構及其特性 非晶矽太陽能電池的製程技術 88 4-2-1非晶矽太陽能電池基本結構 90 圖4-1 兩層式或三層式非晶矽太陽能電池元件的基本結構示意圖 史坦伯 - 勞斯基效應 (Staebler-Wronski Effect, SWE)，又稱之為光輻射性能衰退效應 (Photonic Radiation Degradation)： 太陽光照射之後的短時間之內，其光電轉換的性能將會大幅地衰退，而其衰退的程度約為10.0%?30.0%，如圖4-2所示 91 4-2-1非晶矽太陽能電池基本結構 91 圖4-2 史坦伯 - 勞斯基效應以及懸吊鍵的示意圖 4-2-1非晶矽太陽能電池基本結構 93 4-2-2非晶矽太陽能電池特性 圖4-3 在p-n接面型以及p-i-n接面型元件中光電流產生的機制示意圖 94 4-2-2非晶矽太陽能電池特性 圖4-4