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集成电路制造技术问答 集成电路工艺 2008-11-20 21:31:48 阅读319 评论1 ??字号：大中小?订阅 第一章?????? 晶体生长和圆片制备 1、什么是电容？什么是介电常数？这个概念为何对半导体制造很重要？2、指出最常用的半导体材料并给出它使用的原因。Si原因：主要：两个加工优点：　　1）Si材料很容易被氧化形成高质量的电绝缘层????? 2)该氧化物作为集成电路制造中的选择扩散所需提供一个较好的阻挡层辅助优点：1）自然界含量丰富，可以地宫低价初始材料????? 2）Si的禁带宽度比Ge宽，因此他的工作温度比Ge高 3、本征与非本征硅之间的区别是什么？4、给出硅固溶度的定义，并说出硼、磷、砷和锑的固溶度。　　Si固溶度定义：给定温度下，掺杂过程中，Si所能吸收杂质的量的上限1100°C，Nb=3.3x10exp20 /cm3???? Np=1.2x10exp21 /cm3（具体见图4.6，P58）， 5、为什么要用单晶硅制备集成电路？6、什么是弥勒指数？它表示什么？　　以晶胞基矢定义的互质整数，用以表示晶面的方向。　　1）确定某平面在直角坐标系 3个轴上的截点，并以晶格常数为单位测得相应的截距。　　2）取截距的倒数，然后约简为 3 个没有公约数的整数，即将其化简成最简单的整数比。　　3）将此结果以 “（hkl）”表示，即为此平面的密勒指数　　例如【111】晶面 7、MOS器件中用得最多的是哪种方向的晶面？双极器件呢？MOS【100】双极型【111】 8、什么是CZ单晶生长法？它是如何利用籽晶进行生长的？　　即直接拉法　　工艺：下籽晶—细颈—放肩—等颈生长—收尾 9、为什么要用区熔法生长硅单晶？1）纯度较高 2）氧含量较低 3）电阻率高可用作功率器件，但直径不能大 10、继续增大硅片直径的主要原因是什么？Si片面积增大，则每个硅片上面方块数目越多，可以降低芯片加工成本问题：为了保证IC制造中结构的完整性和平整度，大直径Si片必须厚，从而要求更高的拉晶工艺（大直径、低缺陷、高杂质纯度）且对超净的要求也更高。 11、硅中常见的晶体缺陷是什么？1）点缺陷：空位、自填隙、替位杂质、刃型错位、位错环2) 线缺陷：位错能攀升和运动3）杂质a.快扩散杂质(Fe,Cu,Ni等)　　b.慢扩散杂质(B,P,As等)　　c.氧含量(10e17 )　　d.碳含量(10e16 – 10e18 )　　12、给出4种硅片定位边的图。200mm及以上硅片中用什么代替定位边？13、磨片、倒角和抛光的目的各是什么？　　磨片：消除机械损伤　　倒角：防止边角碎损　　抛光：以达到高度平整的表面 14、单晶材料参数的测试方法？1）导电类型测试：热探针法、C-V法、霍尔系数法（P（Re0）、N（Re0））2）电阻率检测：四探针法 R=C（V/I）\ 扩散电阻法（单探针）R=k（ro）/4r03) 表面质量检测：尺寸符合要求（直径、厚度、平整型、晶向）??????? 查表面：无麻点、凹坑、橘子、拉丝、划伤??????? 位错：腐蚀和铜缀蚀法4）少子寿命检测：光导电法、双脉冲法、扩散长度法、光电磁场、表面光电势法 15、表征硅单晶材料参数是哪些？1）导电类型2）电阻率3)少子寿命4）晶格完整性5）纯度6）晶向7）力学性质8）尺寸及其他16、试述制备硅晶圆片的工艺流程。整形—定向—切片---磨片---倒角---化学腐蚀---抛光 第二章?????? 图形加工技术1、什么叫光刻?　　利用称做光刻胶的对光敏感的材料做掩膜，将图形转移到胶膜上，然后用化学或者等离子刻蚀的方法将光刻胶的图形转移到硅片表面的掩膜上。　　2、光刻的环境要求为什么很高？对光刻质量优势么影响？无论原来附在衬底上的灰尘微粒或者光刻过程中落在衬底表面的灰尘微粒都可能会导致最后覆盖其上的胶产生缺陷。产品率 tao=x^m(x：每次光刻图形良好概率 m掩膜板数量) 3、光刻胶的组分是什么？各有什么作用？树脂等等 4、解释硅片表面亲水与疏水的区别。5、为何要进行脱水烘焙？6、HMDS是什么？起何作用？7、光刻胶的作用？正型胶与负型胶的差异？哪一种胶用在亚微米光刻中？将掩膜做的图形很好的转移到硅片表面 8、光刻胶的厚度受影响的因素。粘性，如旋转速度的方根成反比例 9、胶软烘的作用？不软烘的胶会出现何种问题？改进粘附性并去除光刻胶中的溶剂，不过后果：容易脱胶 10、什么是套准精度？它对掩模版的套准容差有什么作用？套准精度：对准中允许的最小误差（最小线宽间隔） 11、什么是光刻的分辨率？它与哪些因素有关？12、什么是光强和曝光剂量？它们有什么联系？为什么曝光剂量很重要？13、什么是衍射？