第3章 逻辑门电路课件.ppt

北京理工大学 信息科学学院 第3章 逻辑门电路 §3.1 概述 §3.2 晶体管的开关作用 3.2.1 二极管的开关作用 3.2.2 三极管的开关特性 §3.3 基本逻辑门电路 §3.3 基本逻辑门电路 §3.4 TTL集成门电路 3.4.1 TTL与非门的基本原理 推拉式输出级 TTL“或非”门电路 TTL“与或非”门电路 TTL“异或”门电路 推拉式输出级并联的情况 3.4.2 TTL与非门的特性及参数 74系列与74S系列TTL“与非”门电压传输特性比较 作业1：3-1，3-4，3-5 §3.5 其他类型的TTL“与非”门电路 3.5.1 集电极开路“与非”门（OC门） 3.5.2 三态输出“与非”门（TS门） §3.6 MOS门电路 3.6.1 CMOS反相器 3.6.2 其他逻辑功能的CMOS门电路 3.6.3 CMOS门电路的特点及应用 §3.7 TTL与CMOS电路的级联 3.7.1 由TTL驱动CMOS 作业2：3-6，3-7，3-8，3-9，3-10，3-12 这是N沟道增强型的MOS管。 UDD uI uO UDD uGS 1.MOS管的开关特性 MOS管的开关等效电路(a)截止状态 (b)导通状态 uGS uDS uDS uGS 栅极G和漏极D相对于“地”来讲是正电位，即：uGS与uDS是正电压（与参考方向一致）。iD的实际方向与参考方性也一致。 N沟道增强型MOS管共源接法及其输出特性曲线 (a)共源接法 (b)输出特性曲线 N沟道增强型MOS管的转移特性 当uGS UGS(th)N时，iD=0；当uGS UGS(th)N时，iD≠0且随着uGS的增加而增大。 称UGS(th)N为NMOS管的开启电压，UGS(th)N0 。 UGS(th)N uGS P沟道增强型MOS管的漏极特性 栅极G和漏极D相对于“地”来讲是负电位，即：uGS与uDS是负电压（与参考方向相反）。iD的实际方向与参考方性也相反。 uGS uDS uDS uGS P沟道增强型MOS管的转移特性 uGS UGS(th)P iD O 当 uGS UGS(th)P 时，iD=0；当 uGS UGS(th)P 时，iD≠0且iD的绝对值随着uGS绝对值的增加而增大。 称UGS(th)P为PMOS管的开启电压，UGS(th)P0 。 MOS管的特点： 输入阻抗极高（108Ω），输入端可看成开路。 MOS管是一种电压控制型器件。 在数字电路中，当uGS UGS(th)N时，NMOS管导通；当 uGS UGS(th)N时，NMOS管截止。 在数字电路中，当 uGS UGS(th)P 时，PMOS管导通；当uGS UGS(th)P 时，PMOS管截止。 单独由PMOS管或者NMOS管所构成的门电路由于其输出阻抗高、工作速度低，现在已基本上不采用。 2.CMOS反相器 CMOS反相器是由一个N沟道增强型MOS管和P沟道增强型MOS管组成，两管的漏极相连作为输出端，两管的栅极相连作为输入端。PMOS的源极接电源，NMOS的源极接地。 电源电压UDD UGS(th)N+ UGS(th)P 。 对4000系列的CMOS器件，UDD：3～18 v ① 当uA= 0 v（输入低电平）时： TP的uGS= -UDD，即：uGS UGS(th)P ，所以TP导通。 TN的uGS= 0 v，即：uGSUGS(th)N，所以TN截止。 于是输出uY ≈ UDD。输出高电平。 ② 当uA= UDD（输入高电平）时： TP的uGS= 0 v，即：uGS UGS(th)P ，所以TP截止。 TN的uGS= UDD，即：uGSUGS(th)N，所以TN导通。 于是输出uY ≈ 0 v。输出低电平。 综合①、②知，这是一个反相器（“非”门）。 CMOS反相器的特点： 静态时，无论输出高、低电平总是一只管导通一只管截止。所以CMOS在静态时从电源吸取的电流极小（理论上为0）。所以其功耗极低，一般为数μW。 CMOS只在输出高、低电平转换的瞬间才从电源吸取电流。也只有在这时CMOS才消耗功率，而且CMOS的工作频率越高、它所消耗的功率就越大。 U U U U uI CMOS在输出高、低电平转换时所消耗的电源功率叫做CMOS的动态功率损耗。 U U U U uI CMOS反相器的特点： 动态功率损耗可由下式确定：PT = CPD · UCC2 · f PT：CMOS的动态功率损耗。 CMOS的输入阻抗极高，其扇出系数可以很大。但受输入、输出端分布电容的影响，扇出系数也不可能太大。 UCC：CMOS的工作电源电压。 f ：CMOS输出端高、低电平翻转的频率（它是输入信号频率的两倍）。 CPD：这是一个具有电容量