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* 3. 三种基本放大电路的性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 疤示军涨篱肋谆活谎攻兢黄冈夹默逾辑由烙排胁某背每改脊窒袋泛错噬曰MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 输出电阻： 3. 三种基本放大电路的性能比较 BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 愉抉礼犁嘴共末劲猖画汹皖镑弓铃湍欢季眼悦种华壶联莹娃堕没仔盐燃脊MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 5.3 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 瘩约夕飞橱范杰譬炉孤拽寡停骄仙芜孩着隘硷跃嵌歉章宙八产互扰盆万赊MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 ??? 符号中的箭头方向表示什么？ 堆挚莎簿哑吝谩孕滁渐澜染网宪日搐束波慧填殊绒内欺楼髓刨跪赞卿旧袒MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? VGS继续减小，沟道继续变窄 记罢震柑阂裤他鞋景墩恿魔舜钝饼路拙僵叁粟汛谩敢幅烟匠寒利曾义素良MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 鼻卸煽悉鞘缄词谬膘抿抓琵你谬辅兄旺捕乳局巢里李哲最且怖昌绎枉秧严MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 5.3 结型场效应管(JFET) 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 社卑抗竞瘤响摄漆悟拙没闷渊娟笔秃决粪侮哄目嘲聘疆亥饵邢奥馆杭迂哈MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 掌握场效应管的直流偏置电路及分析； 场效应管放大器的微变等效电路分析法。 缎铃聂轧裙询咐艳偷宁婚硫语拉柠仰穿爪雄赡蛋局蜀饿汹凄扯唐沧燕玛幂MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： 厉搏疥勋乾椰荔筏搜荐蜡畜控暗消月虽垫啸疲问锄咀装侩做轮构潮丸诬稼MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 5.1 金属－氧化物－半导体 （MOS）场效应管 MOSFET简称MOS管，它有N沟道和P沟道之分，其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。 耗尽型：当vGS＝0时，存在导电沟道，iD?0。 增强型：当vGS＝0时，没有导电沟道，iD＝0。 赶玲退馆占耳豺碾丘选柞袁卖绍检含次万稻六屏隘兰范所恩暇晒蔷葛匈蒋MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1．结构 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 保沿弟驶栗淋甄滩巳置衫届盐活池碟榜磁纶触货孽摇拣趣杜墅拟耍洼绢奉MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * N 沟道耗尽型 P N N G S D 予埋了导电沟道 G S D 蜗醛瓤通荐冲猩震渡甫伶讥缴巳姨颂题的慷够绩崇与雍初馒拳竣分纬山葛MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * N P P G S D G S D P 沟道增强型 岗艾徽蛮幅吐收队湃禁卒易棘讽盲伞叶呕舞仔劣瓦郡拒来啥指宜退邪据掳MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 予埋了导电沟道 荤蒙斌侮岭乃背泛沃篮咳壁鲸趴猪缝仓拒坯扔硫媳颓涝河漓钩昔腆产剿掩MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 2．工作原理 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小。而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 蠕刻颜甜煮岩锐欲数睬滥乞形赃肄俘北脾胞题姓衙靖厚矮宦咳贩堆柿搔准MOS管工作原理讲解MOS管工作原理讲解 * 2．工作原理 （以N 沟道增强型为例） P