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微机原理及接口技术 第5章 存储技术 5.2.2 EPROM ROM： 只能对其进行读操作，而不能进行写操作 也称非易失性存储器，存放不经常修改的数据、程序等。 5.2.2 EPROM 2764芯片：8K×8bit 引线 A12～A0 D7～D0 CE：片选 OE：数据输出允许 PGM编程时：编程脉冲输入读时：“1” 5.2.2 EPROM 2764的连接使用 全译码地址 5.2.2 EPROM 连接 全译码地址 5.2.2 EPROM的编程 5.2.3 E2PROM 5.2.3 E2PROM：Flash memory 第三章、第五章作业 5.2.5 80x86及奔腾处理器总线上的存储器设计 1. 8088、8086 处理器的内存接口 5.2.5 80x86及奔腾处理器总线上的存储器设计 1. 8088、8086 处理器的内存接口 地址对齐（Align）、对准、规则字 偶地址开始的16位访问可以一次完成 奇地址开始的16位访问需要两次操作 A0＝0，BHE*＝0，访问16位数据 A0＝0，BHE*＝1，访问低8位数据 A0＝1，BHE*＝0，访问高8位数据 A0＝1，BHE*＝1，无效的数据访问组合 2. 80386、80486的内存接口（32位存储器设计） 2. 80386、80486的内存接口 与内存接口相关的信号： 地址信号A2～A31共30个地址信号，其编码可寻址1G个32位的存储单元。这里没有A0和A1，这两个信号已在80386、80486内部译码，用于产生4个体选择信号。 体选择信号BE0～BE3。 32位的数据信号D0～D31分为4个字节(部分)，分别是D0～D7、D8～D15、D16～D23和D24～D31。 控制信号M/IO（内存/接口选择信号，与8086一样）； D/C（数据/控制）信号，低电平为处理器中止或正在响应中断，高电平表示正在传送数据； W/R（读/写）信号，低电平表示读内存或接口，高电平表示写内存或接口。 2. 80386、80486的内存接口 与内存接口相关的信号： 地址信号 A3～A31 体选择信号 BE0～ BE7 64位数据信号 D0～D63 控制信号 M/IO、D/C 和 W/R 内存要由8个体来构成，每个体对应一个体选择信号。 * * 5.2 常用存储器芯片及连接使用 5.2.2 可紫外线擦除的只读存储器：EPROM 5.2.3 可电擦除的只读存储器：E2PROM 掩模ROM 一次性可编程ROM（PROM） 紫外线擦除可编程ROM（EPROM） 电擦除可编程ROM（EEPROM） 内存平均访问时间：EPROM存储器：100～400ns 石英窗口 F0000H F1FFFH 全0 全1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 地址范围 A12～A0 A19A18A17A16A15A14 A13 【例】 要求：EPROM 2764的首地址为A0000H的内存区，试画出连接图。 A0000H A1FFFH 全0 全1 1 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 地址范围 A12～A0 A19A18A17A16A15A14 A13 (1)先擦除 紫外线照射15～20min → 全部单元内容均为FFH (2)再编程 电压：＋12.5V、+15V等 EPROM擦除器 EPROM编程器 电擦除可编程只读存储器 优点：在线擦除 可单字节随机读写 按页写入数据 缺点：存储密度小，单位成本高。 编程时间长 擦除电压较高，可达到15V 典型芯片： NMC9864A: 8K×8bit 快擦型存储器、闪速E2PROM E2PROM的缺点：编程时间长、容量小 闪存：容量大，编程速度快。成本低、密度大 典型芯片：28F040: 512K×8bit P.242 5.1 5.2 5.8 P.135 3.6 3.10 存储器 SRAM 6116的连接容量：2K×8bit 8088的数据总线为8位，该系统的内存为8位存储器，是一个单体存储器。 00000H FFFFFH 8位存储器结构 存储器的扩展 字扩展：由容量较小的芯片组成容量较大的存储体 如8K×8bit扩展到64K×8bit 芯片具有不同的片选 位扩展：输出的数据位的扩展 如8K×8bit扩展到8K×16bit 芯片具有相同的片选 8086的存储体必须实现的功能 16位数据的读写 MOV AX,[SI] MOV WORD PTR [BX],0 8位