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模拟电子技术基础 第四版 华成英 主编 课件制作 刁修睦 第一章 常用半导体器件 1.1 半导体的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 晶体管三极管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件 1.7 Multisim应用举例_二极管特性研究 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结 1.1.1 本征半导体 一、半导体 二、本征半导体的晶体结构 三、本征半导体中的两种载流子 四、本征半导体中载流子的浓度 1.1.1 本征半导体 一、半导体 物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。 半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 1.1.2 杂质半导体 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，便可得到杂质半导体。 1.1.3　PN结 一、 PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 三、 PN结的电流方程 四、 PN结的伏安特性 五、 PN结的电容效应 1.2.1 半导体二极管的几种常见结构 （1）最大整流电流IF： IF是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。 （2）最高反向工作电压UR： UR是二极管工作时允许外加的最大反向电压，超过此值时，二极管有可能因反向击穿而损坏。 （3）反向电流IR： IR是二极管未击穿时的反向电流。 （4）最高工作频率fM： fM是二极管工作的上限频率。 1.2.4 二极管的等效电路 能够模拟二极管特性的电路称为二极管的等效电路。也称为等效模型。 一、由伏安特性折线化得到的等效电路 1.2.5 稳压二极管 1.2.5 稳压二极管 (1)稳定电压UZ:在规定电流下稳压管的反向击穿 电压. (2)稳定电流IZ：稳压管工作在稳压状态时的参考 电流。 (3)额定功耗PZM：稳压管的稳定电压UZ与最大稳 定电流IZM的乘积. (4)动态电阻rz ：稳压管工作在稳压区时,端电压 变化量与其电流变化量之比。 (5)温度系数α：温度每变化1 ℃稳压值的变化量. 1.2.6 其它类型二极管 1.2.6 其它类型二极管 1.2.6 其它类型二极管 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 1.3.6 光电三极管 1.3.6 光电三极管 1.4.1 结型场效应管 二、 结型场效应管（JFET)的特性曲线 1.4.2 绝缘栅型场效应管 1.4.2 绝缘栅型场效应管 漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用 当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电压uDS对漏极电流 iD 的影响。 uDS 的不同变化对沟道的影响。 漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用 二、N沟道耗尽型MOS场效应管结构 1.4.3 场效应管的主要参数 1.4.4 场效应管与晶体管的比较 一、场效应管用栅-源电压控制漏极电流，栅极基本不取电流；晶体管工作时基极总是要索取一定的电流。 二、场效应管只有多子参与导电；晶体管多子和少子均参与导电。 三、场效应管的噪声系数很小；晶体管的噪声系数大。 四、场效应管的漏极和源极可以互换；晶体管则一般不能。 五、场效应管比晶体管种类多，组成电路时更加灵活。 六、场效应管和晶体管均可用于放大和开关电路，均可构成集成电路，但场效应集成电路工艺简单，且省电、工作电源电压范围宽。 1.5 单结晶体管和晶闸管 根据PN结外加电压时的工作特点,还可以由PN结构其它类型的三端器件.本节将介绍利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件--单结晶体管以利用三个PN结构成的大功率可控制整流器件--晶闸管. 1.5.1单结晶体管的结构和等效电路 二.工作原理和特性曲线 应用举例 1.5.2 晶闸管 二、工作原理 三、晶闸管的伏安特性 四、晶闸管的主要参数 1.6集成电路中的元件 集成电路就是采用一定的制造工艺，将晶体管、场效应管、二极管、电阻、电容、等许多元件组成的具有完整功能的电路制作在同一块半导体基片上，然后加以封装所构成的半导体器件。由于它的元件密度高、体积小、功能强、功耗低、外部连接及焊点少，从而大大提高了电子设备的可靠性和灵活性，实现了元件、电路与系统的紧密结合。 本节将简单介绍制造工艺，并说明