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- 2017-06-12 发布于浙江
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模拟电子技术基础
电子教案 V1.0
陈大钦 主编
华中科技大学电信系 邹韬平
8 场效应管及其放大电路
8.2 结型场效应管
8.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管
8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础
8.4 各种放大器件及电路性能比较
8.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管
8.1.1 N沟道增强型MOS场效应管
8.1.2 N沟道耗尽型MOS场效应管
8.1.3 P沟道MOS场效应管
8.1.4 MOS场效应管的主要参数
8.1.1 N沟道增强型MOS场效应管
8.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管
BJT三极管
场效应管
电流控制电流型器件
电压控制电流型器件
双极型器件
单极型器件
场效应管按基本结构分类:
金属一氧化物-半导体场效应管(MOSFET)
结型场效应管(JFET)
N沟道(电子型)
P沟道(空穴型)
增强型
耗尽型
重点讨论N沟道增强型MOS管
1. 结构
2. 工作原理
3. 特性曲线与特性方程
4. 沟道长度调制效应
1. 结构
8.1.1 N沟道增强型MOS场效应管
(a) 结构图
(b) 结构剖面图
(c) 电路符号
图8.1.1 N沟道增强型MOSFET结构及符号
2. 工作原理
8.1.1
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