半导体技术课件第九章基本光刻工艺.pptVIP

第九章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －1－ 概述 在本章中，将介绍从显影到最终检验所使用的基本方法。还涉及掩膜版工艺的使用和定位错误的讨论。 9.1 显影 晶圆经过曝光后,器件或电路的图形被以曝光和未曝光区域的形式记录在光刻胶上。通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图形显影。通过显影完成掩膜版图形到光刻胶上的转移（如图所示）。 不良显影：不完全显影 显影不足 严重过显影。 第九章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －2－ 第九章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －3－ 负光刻胶显影 当负性光刻胶经过曝光后，它会发生聚合，在聚合与未聚合之间有足够高的分辨率，从而在显影过程中聚合的区域只会失去很小部分光刻胶，而未聚合的区域则在显影过程中分解，但由于两个区域之间总是存在过渡 区，过渡区是部分聚合的 光刻胶，所以，显影结束 后必须及时冲洗，使显影 液很快稀释，保证过渡区 不被显影，使显影后的图 形得以完整。 第九章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －4－ 正光刻胶显影 对于正性光刻胶，聚合与未聚合区域的溶解率约为1:4。这意味着在显影