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黄河水利职业技术学院 曾令琴 不同类型MOS管的电路图符号 D S G B衬底 N沟道增强型图符号 D S G B衬底 P沟道增强型图符号 D S G B衬底 N沟道耗尽型图符号 D S G B衬底 P沟道耗尽型图符号 由图可看出，衬底的箭头方向表明了场效应管是N沟道还是P沟道：箭头向里是N沟道，箭头向外是P沟道。 虚线表示 增强型 实线表示 耗尽型 2. 工作原理 以增强型NMOS管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管不存在原始导电沟道。 当栅源极间电压UGS=0 时，增强型MOS管的漏极和源极之间相当于存在两个背靠背的PN结。 N+ N+ P型硅衬底 B D G S 不存在 原始沟道 + － UDS UGS=0 此时无论UDS是否为0，也无论其极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，因此MOS管不导通，ID=0。MOS管处于截止区。 P PN结 PN结 ID=0 怎样才能产生导电沟道呢？ 在栅极和衬底间加UGS且与源极连在一起，由于二氧化硅绝缘层的存在，电流不能通过栅极。但金属栅极被充电，因此聚集大量正电荷。 + － + － N+ N+ P型硅衬底 B D G S UDS=0 UGS 电场力 排斥空穴 二氧化硅层在 UGS作用下被充 电而产生电场 形成耗尽层 出现反型层 形成 导电沟道 电场吸引电子