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1.1 半导体基础知识 半导体分类 一、本征半导体 二、杂质半导体  3、PN结的伏安特性 五、温度对晶体管特性及参数的影响 3、温度对输出特性的影响 2、温度对输入特性的影响 3、温度对输出特性的影响 1.5 晶闸管 3、晶闸管的工作原理 控制极不加电压（开路），当阳极A和阴极C之间加正向电压（A为高电位，C为低电位）时，PN结J1和J3处于正向偏置，J2处于反向偏置，故V1不能导通，晶闸管处于截止状态（称阻断状态） 当阳极A和阴极C之间加反向电压时，则J2处于正向偏置， 而J1和J3处于反向偏置，V1仍不能导通，故晶闸管还是处于阻断状态。 (2) 当控制极G和阴极C之间加正向电压（G为高电位，C为低电位），阳极和阴极之间加正向电压。触发导通过程。 4、晶闸管的伏安特性 例题：1 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 1、 一个实验 二 晶体管的电流放大作用 B E C mA 结论: 1. IE=IC+IB 3.要使晶体管放大,发射结必须正偏,集电结必须反偏。 2、电流放大原理 B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 B E C N N P EB RB EC IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 IB=IBE-ICBO?IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE IE=IC+IB ICE与IBE之比称为电流放大倍数 返回 iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。 输入特性曲线—— iB=f(vBE)? vCE=const 输出特性曲线—— iC=f(vCE)? iB=const 本节介绍三极管的特性曲线，即 三 双极型半导体三极管的特性曲线 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE 1.输入特性曲线 IB = f (UBE ) UC E = 常数 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 输入特性曲线 IB = f (UBE ) UC E = 常数 2、输出特性特性曲线 IC = g (UCE ) | IB = 常数 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE 输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 IC = g (UCE ) | IB = 常数 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 返回 四、主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电