第三章 场效应管及其放大电路1.doc

第三章 场效应管及其放大电路 由于半导体三极管工作时，必须保证发射结正向偏置，故输入端始终存在输入电流，改变输入电流就可改变输出电流，所以三极管是电流控制器件，因而三极管组成的放大器，其输入电阻不高。 场效应管是通过改变输入电压（即利用电场效应）来控制输出电流，属于电压控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此其输入电阻十分高，可高达上百兆欧。除此之外，场效应管还具有温度稳定性好、抗幅射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等优点，所以得到广泛的应用。 由于半导体三极管参与导电的是两种极性的载流子：电子和空穴，所以又称半导体三极管为双极性三极管。场效应管仅依靠一种极性的载流子导电，所以又称为单极性三极管。 场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（又称为MOS管）。 第一节 结型场效应管 一、结构 结型场效应管有两种结构形式。下图（a）为N型沟道结型场效应管，图（b）是P型沟道结型场效应管，其电路符号如图（c）、（d）所示。 以N沟道为例。在一块N型硅半导体材料的两边，利用合金法、扩散法或其它工艺做成高浓度的P＋型区，使之形成两个PN结，然后将两边的P＋型区连在一起，引出一个电极，称为栅极G。在N型半导体两端各引出一个电极，分别作为源极S和漏极D。夹在两个PN结中间的N型区是源极与漏极之间的电流通道，称为导电沟道。由于N型半导体多数载流子是电子，故此沟道称为N型沟道。 同理，P型沟道结型场效应管中，沟道是P型区，称为P型沟道，栅极与N+型区相连。 电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。 二、工作原理 本节只讨论N沟道结型场效应管的工作原理，P沟道结型场效应管的导电机理和工作原理与N沟道型场效应管类似。 从结构图（a）可看出，在D、S间加上电压UDS，则在源极和漏极之间形成电流ID。通过改变栅极和源极的反向电压UGS，则可以改变两个PN结阻挡层（耗尽层）的宽度。 由于栅极区是高掺杂区，所以阻挡层主要降在沟道区。故改变UGS，就可以改变沟道宽度，其沟道电阻也随之而变，从而改变漏极电流 ID。如 |UGS| 上升，则沟道变窄，电阻增加，ID下降，反之亦然。所以，改变UGS的大小，可以控制漏极电流，这是场效应管工作的核心部分。 1．UGS对导电沟道的影响 为便于讨论，先假设UDS＝0 当UGS由零向负值增大时，PN结的阻挡层加厚，沟道变窄，电阻增大。如下图（a）、（b）所示。 当UGS的负值再进一步增大，当UGS＝UP时，两个PN结的阻挡层相遇，沟道消失，我们称为沟道被“夹断”了，UP称为夹断电压，此时ID＝0，如图（c）所示。 2．ID与UDS、UGS之间的关系 假定栅、源电压|UGS|＜|UP|，如UGS＝－1V，而UP＝－4V，当漏、源之间加上电压UDS＝2V时，沟道中将有电流ID通过，此电流将沿着沟道的方向产生一个电压降，这样沟道上各点的电位就不同，因而各点与栅极之间的电位差也就不相等。漏极D端与栅极G之间的反向电压最高，如 UDG＝UDS－UGS＝2－（－1）＝3V，沿着沟道向下逐渐降低，使源极端为最低，如USG＝－UGS＝1V，两个PN结的阻挡层将出现楔形，使得靠近源极端沟道较宽，而靠近漏极端的沟道较窄。如下图（a）所示。 此时，若增大UDS，由于沟道电阻增长较慢，所以ID随之增加。当UDS进一步增加到使栅、漏间电压UGD等于UP时，即 UGD＝UGS－UDS＝UP 则在D极附近，两个PN结的阻挡层相遇，如上图（b）所示，我们称为预夹断。如果继续升高UDS，就会使夹断区向源极端方向发展，沟道电阻增加。由于沟道电阻的增长速率与UDS的增加速率基本相同，故这一期间ID趋于一恒定值，不随UDS的增大而增大，此时，漏极电流的大小仅取决于UGS的大小， UGS越负，沟道电阻越大，ID便越小，直到UGS＝UP，沟道被全部夹断，ID＝0，如上图（c）所示。 由于结型场效应管工作时，我们总是在栅、源之间加一个反向偏置电压，使得PN结始终处于反向接法，故IG≈0，所以，场效应管的输入电阻rgs很高。 三、特性曲线 1．输出特性曲线 下图为N沟道场效应管输出特性曲线。以UGS为参变量时，漏极电流ID与漏、源电压UDS之间的关系，称为输出特性。 根据工作情况，输出特性可划分为4个区域，即：可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区。 （l）可变电阻区。可变电阻区位于输出特性曲线的起始部分，图中用阴影线标出。此区的特点是： 固定UGS时，ID随UDS增大而线性上升，相当于线性电阻；改变UGS时，特性曲线的斜率变化，即相当于电阻的阻值不同，UGS增大，相应的电阻增大。因此在此区域，场效应管可看作一个受UGS控制的可变电阻，即漏、源电阻RDS＝f(UGS)。 （2）恒流区。该区的