变温霍尔实验2010课件.pptVIP

变温霍尔实验 物理与电子学院 一、引言 1879年美国物理学家霍尔（Hall）在研究通电导体在磁场中受力情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这种电磁效应叫做Hall效应。 在半导体材料中，Hall效应比金属中大几个数量级，引起了人们的深入研究。直到现在，Hall效应仍是研究半导体性质的重要实验方法. 通过Hall效应可以得到半导体材料的导电类型、迁移率、载流子浓度等重要参数。 另外，利用Hall效应可以制造测量磁感应强度的特斯拉计和电磁无损探伤器件。 二、实验目的 了解半导体中霍尔效应的产生机制。 通过实验数据测量和处理，判别半导体的导电类型，计算室温下样品的霍尔系数、电导率、迁移率和载流子浓度。 掌握变温条件下霍尔系数和电导率的测量方法，了解两者随温度的变化规律。 三、实验原理 Hall效应是测量半导体载流子参数的重要实验手段。根据半导体导电理论，半导体内部载流子有两种产生机制，分别是本征激发和杂质电离。 本征激发 半导体共价键上的电子受到热激发或光辐照，吸收能量跃迁到导带成为自由电子，同时在价带留下一个导电的空穴，这种由半导体本身靠热激发产生电子-空穴对的过程，称之为本征激发。本征激发过程中电子浓度和空穴浓度应相等。纯净半导体（本征半导体）主要靠本征激发获得一定的导电能力。 实验原理 杂质电离 室温条