高频集成电路放大器芯片及应用电路.pptVIP

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  • 2016-12-26 发布于广东
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高频集成电路放大器芯片及应用电路.ppt

高频集成放大器芯片及其相关应用介绍 小组成员:刘雪梅,徐蕊 林晓艳,甘乐 高频放大器的分类及组成 高频小信号放大器的应用 在远距离传输信号时,由于发送的信号经过信道传输时衰减很大,到达接收端时往往是很小的信号,而且可能混杂了其他的干扰信号,应用具有放大作用和选頻作用的小信号放大器可以很好的解决这些问题。 高频小信号放大器的电路组成 衡量性能的指标:中心频率fc;谐振电压增益Au;通频带BW;选择性K(矩形系数综合BW和K)。 选频:单谐振回路(LC在特定的频率下产生谐振达到最大增益),固体滤波器(如石英晶体) 放大:利用三极管的放大特性。 选频 单调谐回路选频放大器:单管放大器+单调谐选频 放大 高频功率放大器 特点:输出功率大、效率高、非线性失真小 原理:利用上电产生的波动傅立叶级数展开展开成余弦脉冲电流,选出基波分量,并与后一级电路实现最佳负载匹配。 高频功率放大器的应用 在声音、图像等信号传输过程中,首先需要将这些信号调制在高频载波信号上,再通过无线电发射发射出去,由于会衰减,所以,要求无线电发射的信号要具备足够大的功率。 CLC425简介 CLC425是美国国家半导体公司推出的一种超低噪声宽带运放芯片 特点:超低噪声、高增益带宽 带运算放大器,是一种应用领域极广,具有广阔动态范围的 CLC425性能参数 1)增益带宽很高,达1.9 GBW; 2)噪声极低,输入电压噪声低至1.05 nv/√Hz。输入电流噪声典型值为O.8 pA/√Hz,在Rs=700 Ω时,噪声系数NF= O.9 dB: 3)输入偏移电压为100μV,l mV温度漂移为2μV/℃; 4)开环增益为96 dB时,共模抑制比CMRR为100 dB.压摆率为350 V/μV,电源抑制比PSRR为95 dB; 5)供电电流为5—10 mA。 CLC425在低噪声宽带放大器设计中的应用 低噪声宽带放大器:从无线电接收机宽带放大器模块对射频小信号进行低噪声放大 发挥芯片的低噪声优势,在保证放大增益的同时尽量少的引入附加噪声。 CLC425在低噪声宽带放大器设计中的应用电路组成 低噪声宽带放大器由两级运算放大电路、电源电路和滤波电路构成。 使用两级运算放大电路是为把足够大的增益分至两级上.这样既可以保证信号的稳定又可以满足增益需求嘲。为滤除部分带外噪声,在第一级后加滤波器,避免其随着输入信号在第二级放大电路中放大,降低信噪比。 TL-0907 品牌:俄罗斯芯片 型号:TL-0907 应用范围:放大 频率特性:高频 极性:NPN型 结构:平面型 材料:硅(Si) 封装材料:塑料封装 HT2144 1W双声道无滤器D类高频功率放大器 品牌:HT 型号:HT2144 批号:10+ 封装:TSSOP20 处理信号:模拟信号 制作工艺:混合集成 导电类型:单极型 集成程度:超大规模 6片IC简介 美国国半公司的LM1875、LM4766、LM3886(LM4780)以及ST意法公司的TDA9293和TDA7294,它们的标称输出功率在30~100W范围内,适用于家用高保真音频功率放大器。采用这几款IC的功放具有元件少、调试简单的特点,功率、音质与一般的分立元件功放相比毫不逊色,因此一直受到广大DIY发烧友,特别是初学者的喜爱。 LM4766 LM4766是国半公司推出的双声道大功率放大集成电路,每个声道在8欧姆负载上可以输出40W平均功率,而且失真小于0.1%,如图2所示。在国半公司的产品系列中,LM4766被归入“序曲”(Overture)系列,属于最高端的单片双声道大功率放大集成电路。它内含NS公司研制的SPIKc保护电路,对输出级晶体管的安全工作区(SOA)进行动态检测与保护,全面实现过压、欠压、过载、输出短路(包括短路到地与短路到电源)、热失控和瞬时温度冲击等保护功能,无须外接各种保护电路。 LM3886 LM3886优异的性能,使得它在近几年音响制作中广泛的应用,许多成品功放机中就有直接的应用它担任后级功放或者用它作为重低音放大电路。采用了美国NS公司(国家半导体公司)推出的新型高保真音响功放集成电路LM3886TF作功率放大,用运放NE5532或AD827作前置线性放大和音调放大。 LM3886应用电路 LM4780 LM4780技能参数与LM3886完全一样,应该就是LM3886的双软声道版本,它内含是两个LM3886 TDA7293 TDA7293支持多片并联运行,并具有削峰和输出短路指示 TDA7294 TDA7294、TDA7293是ST公司两款DMOS大功率音频放大集成电路,它有效宽范围的工作电压,(Ucc+Uee)=80V,还有较高的输出功率(高达10

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