04光源和光发射机..pptVIP

第四章 光源和光发射机 4.1 概述 4.2 发光机理 4.3 器件结构 4.4 激光器组件 4.5 半导体激光器的特性 4.6 光发射机设计 4.7 光频率稳定及其控制 4.8 激光器常用参数及其测量方法 4.9 激光器的保护 4.1 概述 光发射机 组成： 将电信号转换成光信号的转换装置 将光信号送入光纤的传输装置 光源 半导体光发射二极管 激光二极管 光发射组件是光发射机的主要部件，光源是核心 半导体光源的优点： 发光光谱在石英光纤的各个低损耗、低色散的窗口 具有较高的发射功率而且与光纤之间有较高的耦合效率 调制简单，直接调制，无需外部的光调制器 可靠性高，发光二极管寿命达 小时以上（100年），激光二极管寿命达 小时 体积特别小 光源要求 光源的峰值波长，应在光纤低损耗窗口内 （波长要求） 足够高，稳定的功率（功率要求） 电光转换效率高，驱动功率低，寿命长，可靠性好（可靠性要求） 单色性和方向性好 易于调制 强度噪声小 对驱动电流的 线性好 调制方式 直接调制 外调制 大多数采用直接控制 在高速DWDM系统和相干检测系统中必须采用光外调制 6. 光发射机组成 光源 直流偏置驱动电路 阻抗匹配电路 光隔离器 监视光源发射功率的监视光电二极管 自动功率控制电路 光源恒温控制系统 4.2 发光机理 灯泡：热激励能转变成光能 发光二极管：通过电子在能带间的跃迁，发出光，构成半导体晶体的原子内部，存在不同的能带。高能带Ec的电子跃迁到低能带Ev上，将能量差 以光的形式放出，发出光的波长由 决定， 半导体材料几乎可以全波覆盖从可见光区到红外光区的整个波长范围。 砷化镓（GaAs）：掺以相邻元素铝、 铟、磷、镝，改变波长 在CaAlAs材料中CaAs：半径波长0.9um 在InGaAsP材料中：InP半径波长1.7um， 掺镓掺砷可达1um 发光过程：自发辐射、受激发射 能量： 受激吸收：晶体中有光场存在时，处在低能带某能级上的电子杂入射光场的作用下，可能吸收一个光子而跃迁到高能带某能级上 受激辐射和受激吸收的概率相同 辐射和吸收的区分： 电子密度在两个能带上的分布 高能带电子密度高于低能带：受激发射 高能带电子密度低于低能带：受激吸收 激光器工作在正向偏置下，注入正向电流，高能带中电子密度增加，受激发射。 受激发射条件 单位体积：具有能量Ev的电子数Nv（低能级） 具有能级Ec的电子数Nc（高能级） 介质吸收光子，电子从低级Ec跃迁到高能级Ec，其跃迁率以Nv电子数有关，也与单位体积内具有hv＝Ec－Ev能量的光子有关。 受激发射条件： （1）NcNv （2）具有一个保持光子浓度足够大的光腔 激光器起振的阈值条件 研究平面电磁波在谐振腔内的传输，腔内单位长度平均损耗 ，平面波的幅度为Eo，频率为 ，反射系数：R1、R2 光从z=0出发，在z=L处被反射回z=0处，光强衰减了 另一方面，单位长度受激发射放大得到增益g，光往返一次，光强放大了exp〔g（2L）〕倍 谐振：当功率保持不变 于是： 激光器起振的条件： 激光器起振的相位条件 增益介质长度L，增益介质折射率为n，由于增益介质内等于半波长 的整数倍m， 从而： 得出： m m+1 于是： 4.3、器件结构 同质结构：只有一个简单的PN结（同一种物质构成PN结） 异质结构：由两种不同材料构成的PN结 异质结半导体激光器 单异质结 双异质结 多异质结 量子阱制激光器：电子或空穴允许占据能量状态的限制 特点： 阈值低 线宽窄 微分增益高 对温度不敏感，调制速度快，增益曲线容易控制 典型的量子阱激光器中，很薄的GaAs有源层夹在两层很厚的AIGaAs半导体材料中，有源层d很薄，以至于导带中的集带势能把电子封闭在x方向的一维势能阱内. 类型： 单量子阱 SQW: Single Quantum Well 多量子阱 MQW: Multiple Quantum Well 量子线 QWI: Quantum Wir