《Nand_flash工作原理.docVIP

Nand flash芯片工作原理??? Nand flash芯片型号为Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为64MB,采用块页式存储管理。8个I/O引脚充当数据、地址、命令的复用端口。??? 芯片内部存储布局及存储操作特点:??? 一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为:??? 1 (Device) = 4096 (Blocks)??? 1 (Block) -= 32?? (Pages/Rows) 页与行是相同的意思,叫法不一样??? 1 (Page)?? = 528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes)???? 在每一页中,最后16个字节(又称OOB)用于Nand Flash命令执行完后设置状态用,剩余512个字节又分为前半部分和后半部分。可以通过Nand Flash命令00h/01h/50h分别对前半部、后半部、OOB进行定位通过Nand Flash内置的指针指向各自的首地址。??? 存储操作特点:??? 1. 擦除操作的最小单位是块。??? 2. Nand Flash芯片每一位(bit)只能从1变为0,而不能从0变为1,所以在对其进行写入操作之前要一定将相应块擦除(擦除即是将相应块得位全部变为1).??? 3. OOB部分的第六字节(即517字节