电子线路第四版线性部分谢嘉奎复习资料合编.docVIP

申明：本复习资料仅作为考试参考，不代表百分百会考本资料上的内容。 一、选择填空题 本征半导体：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。 N型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。 P型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。 PN结的基本特性：单向导电性（即正向导通，反向截止）。除了单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。 PN结的伏安特性方程式： 正偏时： 反偏时： 其中：热电压? ≈26mV（室温）；温度每升高10℃，Is约增加一倍。 硅PN结：VD（on）=0.7V 锗PN结：VD（on）=0.3V PN结的击穿特性：热击穿（二极管损坏，不可恢复），齐纳击穿（可恢复）。 PN结的电容特性：势垒电容、扩散电容。 三极管内部结构特点：发射区掺杂浓度大；基区薄；集电结面积大。 三极管的工作状态及其外部工作条件： 放大模式：发射结正偏，集电结反偏； 饱和模式：发射结正偏，集电结正偏； 截止模式：发射结反偏，集电结反偏。 三极管工作在放大模式下： 对NPN管各极电位间要求：VeVbVc 对PNP管各极电位间要求：VeVbVc 例：测得某三极管的三个极的电压分别为U1=10V，U2=3V，U3=2.3V，请判断此三极管的类型、工作状态、并指出其B C E极。 解：电压值都为正，可判断为N