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第二章 半导体二极管及其电路 第二节 PN结的形成 第三节 二极管及其特性 3.1 二极管的结构 3.2 二极管的伏安特性 3.3 二极管的主要参数 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 小功率二极管 大功率二极管 稳压 二极管 发光 二极管 3.1 二极管的结构 3.1 二极管的结构 二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，工作频率低，用于工频大电流整流电路。 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1μA以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十μA 开启电压 反向饱和电流 击穿电压 温度的 电压当量 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。 3.2 二极管的伏安特性 3.2 二极管的V-I 特性 二极管的V-I 特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性的死区（门坎）电压Vth，0.1V左右（较低） 反向饱和电流Is较大 锗管受温度影响大，对环境温度的热稳定性差 正向特性 反向特性 反向击穿特性 3.3.2 二极管的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 正向特性的死区（门坎）电压Vth，0.5V左右（较大） 反向饱和电流Is较小 热稳定性较好 二极管的V-I 特性曲线可用下式表示 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 正向特性为指数曲线 反向特性为横轴的平行线 2. 伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 增大1倍/10℃ 3.3 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF：最大允许通过的正向平均电流 最大平均值 (2) 反向击穿电压VBR：管子反向击穿时的电压值 最大瞬时值 (3) 反向电流IR：管子未击穿时的反向电流。受温度影响。 (4) 正向压降VF：硅管0.7V左右，锗管0.2V左右 (5) 极间电容Cd=CB +CD ：高频时作用明显 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 最大反向工作电压VR=1/2VBR (7) 反向恢复时间TRR (6) 动态电阻rd 反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即 rd =?VF /?IF 反映了二极管正向导通到反向截止所需的时间。 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：分析电路，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 理想 二极管 近似分析中最常用 理想开关 导通时 VD＝0截止时IS＝0 导通时VD＝Von 截止时IS＝0 导通时△i与△u成线性关系 应根据不同情况选择不同的等效电路！ 1. 将伏安特性折线化 ？ 100V？5V？1V？ 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 在正向偏置时，视其管压降为零，电阻为零。 反向偏置时，视其电阻为无穷大。 此模型用于电源电压远比二极管的管压降大时。 （2）恒压降模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 当二极管导通后，其管压降视为恒定，且不随电流变化，硅管典型值为0 .7V。此模型只有在二极管电流iD≥1mA 才是正确的。该模型应用较广泛。 （3）折线模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 vD=Vth+rDiD 此模型将二极管的管压降看成是随着二极管电流的增加而增加，所以在模型中用一个电池和一个电阻rD来作进一步的近似。电池的电压为二极管的门坎电压Vth,约为0.5V，当iD=1mA时，管压降为0.7V， 所以 rD=(0.7－0.5)/1mA=200?