4复合材料的界面理论和界面控制2011..ppt

例如：关于SiC/Al复合材料的界面结合机制 最初认为SiC晶须与Al基体之间为扩散结合，无任何其它相存在； 80年代，Port采用XPS从电子尺度对复合材料界面结合机理进行了探究，发现增强相表面有厚约2～15nm的铝层，当温度高于600℃时，XPS分析表明Al与SiC晶须发生了反应并生成界面产物Al4C3。目前，此观点为大多数人所认同。 Hahnel等使用EELS技术对CF/Mg-Al复合材料界面析出相结构从吸收边精细结构(ELNES)进行了分析，并参比于Al2O3、Al4C3及铝基体的吸收边精细结构，发现： 析出相的特征谱同标准Al4C3谱匹配完好，从而确定了界面产物为Al4C3。同时也证明了Mg元素不参与界面反应，从而揭示了CF/Mg-Al复合材料界面与基体之间的结合机制。 可见，在电子尺度范围能很好地阐明复合材料的界面反应状况，如果将界面元素化学状态的电子尺度表征同计算机技术相结合，将会为复合材料的界面研究及复合材料的应用带来新的突破。 测量界面反应程度通常是追踪界面反应产物的含量变化来获得的，分为直接法和间接法。 直接法能直接得到反应产物的含量（界面层厚度测量法、化学分析法、XRD法） 间接法则需要依靠其它参比对照的方法才能够对反应程度作出判断（相对强度法、液相线法 ） 界面反应程度的测量方法 界面层厚度测量法 利用界面层厚度反映界面反应进行的程度，