5光发射热辐射..pptVIP

导带电子和价带空穴复合所对应的本征发光，可分为直接跃迁和伴有声子的非直接跃迁两类。 1.5.3-3 本征发光 本征发光通常在较高温度下可以观察到，在低温下变得很弱。 这是因为在低温下，杂质态和激子态有较大的布居，通过激子或杂质的复合将占主导地位。 1）直接跃迁 由于电子、空穴通常分布在导带和价带中kT量级的能量范围内，本征发光表现为宽度为kT量级的谱带， 77K 下p-InSb的带间发射谱 半导体对于自己本征辐射的吸收作用称为自吸收。自吸收会影响出射的发射光谱。 对于抛物线能带的情形，直接带隙半导体的带间复合发光的光谱分布I(h?)为 77K 下p-InSb的带间发射谱 实线为测量所得；虚线经过了自吸收修正；点线为由直接跃迁计算所得 （63） I 随hv上升。但是当hv增大到较高能量范围时，I 将由于因子exp[－(hv－Eg)/kT]而下降，因此，在发射光谱中hv比Eg较大处出现一个峰。因子exp[－(hv－Eg)/kT]直接反映了载流子热分布的影响。 在间接带隙半导体中，带间复合发光需要声子参与。对发射一个能量为Ep的声子的间接跃迁，对于抛物线能带和非简并情形可以得到 2）间接跃迁 与直接跃迁相类似，当 时，由于因子(hv－Ep－Eg)2，I随hv 按平方律上升， 因子(hv－Ep－Eg)2反映了间接带隙半导体间接跃迁的光吸收系数与hv的关系。 当hv为较高的值时，I也是随hv的增大按指数式衰减。 （64） 图1 间接跃迁和直接跃迁强度比较 间接跃迁和直接跃迁强度比较表明（图19），在hvEg时间接跃迁强度比直接跃迁强度弱得多。 间接跃迁的发射谱带通常与自由激子的发射谱带难以鉴别，因为这两类发射谱带的位置只相差一个激子束缚能。 例如在Si中激子束缚能有只有0．008eV，因此带间复合发射带和自由激子发射带能通常是重叠的。 直接跃迁 间接跃迁 在直接带隙半导体中，如GaAs中，由于选择定则（k守恒）的限制，只有k=0附近的自由激子可发生辐射跃迁，导致复合发光，形成锐谱线。 1.5.3-4 激子复合光 激子发光光谱必须在低温下进行观测。 该精细结构是由于激子和光子的相互作用产生的。 当波矢k和能量均相同的激子和光子相互作用时，两者可发生耦合，形成了能量略有差别的两个态，在每一个态中既有某些成分的激子特征又有某些成份的光子特征。通常称这种特殊状态为极化激元（Polarition）。 图20 低温下纯净的GaAs的激子复合光谱 自由激子在运动过程中，将能量从晶体的一处输运到另一处，然后电子空穴复合发光，这是一种重要的固体发光机制。 图中代替n=1的激子谱线，观察到位于该线两侧的两条谱线，它们的位置分别为1.5148eV，1.5155eV在图20中它们用两个箭号标出。 （1）电子从导带到施主能级或从受主能级到价带的跃迁，其中辐射跃迁很弱，主要是无辐射跃迁。 1.5.3-5 通过杂质的辐射复合 有三种方式 （2）电子从导带到受主能级或从施主能级到价带跃迁。所对应的发光光谱如图所示。 导带到束缚态Et的发射谱 束缚态到价带的发射谱 这种辐射跃迁产生的光子能量比带间复合产生光子能量小，但十分接近。 （3）施主受主对的辐射跃迁。过剩电子和空穴先分别被施主和受主俘获，然后施主俘获的电子与受主俘获的空穴发生复合时会产生光子能量小于禁带宽度的辐射。 由于占据格位的施主和受主直接的间距只能取分立值，对应于不同间距的施主、受主对的发射谱在低温下将呈现一系列分立谱线，但对应远间距的施主、受主对的发射谱线合并为连续谱带。 在高的激发功率下才能观测高能量一侧的分立谱线。 在低激发功率下只能观测到标为Q0、Q1、Q2的由远间距的施主受主对辐射跃迁产生的发射谱带。 在1．6K测得的ZnSe中施主-受主复合发射谱。上、下图分别对应于高、低激发功率 由于施主和受主不在空间同一位置，只有当两个态在空间有部分重叠时，此类跃迁才有可能发生。因此，这类跃迁必须在较高浓度的施主和受主情况下才可能发生。 显然，r大的施主受主对的辐射跃迁几率较小。 由这种跃迁发射的光子能量小于禁带宽度Eg，因此不会被基质再吸收，这种跃迁的光发射的外量子效率较高。 施主受主对之间电子的辐射跃迁几率W（r）与两者的空间距r有关。 （65） 式中a*为施主的等效玻尔半径 当原子、分子或离子与辐射相互作用时，从量子观点出发，相互作用包含自发辐射跃迁、受激辐射跃迁和受激吸收跃迁三个过程。 假定参与相互作用的物质原子只有两个能级，即能级2和能级1，能量为E2和E1(实际上任何原子系统都有一个复杂的多能级系统)。 1．6． 自发辐射、受激吸收和受激辐射 E1 E2 E2-E1=hν