1.1绪论—半导体二级管素材.pptVIP

（4）小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 常温下（T=300K） 适用于D正向通且信号在很小范围内变化的情况。 即 2.应用举例 （1） 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） VDD=10V 时 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 限幅电路 Vi VR时，二极管导通，vo=vi。 Vi VR时，二极管截止， vo=VR。 例：理想二极管电路中 vi= Vm sinωt V，求输出波形v0。 解： vi t 0 VR 例： 理想二极管电路中 vi=V m sinωt V，求输出波形v0。 V1 vi t 0 Vm V2 ViV1时，D1导通、D2截止，Vo=V1。 ViV2时，D2导通、D1截止，Vo=V2。 V2ViV1时，D1、D2均截止，Vo=Vi。 例8： 二极管限幅电路:已知电路的输入波形为 v i ,二极管的VD 为0.6伏，试画出其输出波形。 解： Vi 3.6V时，二极管导通，vo=3.6V。 Vi 3.6V时，二极管截止， vo=Vi。 利用二极管的单向导电性可作为电子开关 vI1 vI2 二极管工作状态 D1 D2 v0 0V 0V 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止 0V 5V 5V 0V 5V 5V 0V 0V 0V 5V 例3：求vI1和vI2不同值组合时的v0值（二极管为理想模型）。 解： 开关电路 整流电路 正半周： D1、D3 导通 D2、D4 截止 负半周 D2、D4导通 D1、D3截止 例5：求整流电路的输出波形。 解： §5 、特殊二极管 1、稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管 的伏安特性曲线完全一样。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻起限流作用，保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 IZmax U I UZ IZ IZmin 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,当工作电流IZ在Izmax和 Izmin之间时,其两端电压近似为常数 正向同二极管 稳定电压 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！ IR IZ Io 稳压管的稳压过程。 RL Io IR Vo IZ IR Vo 3. 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ # 稳压条件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax # 不加R可以吗？ 两不同的稳压管串联 将一个8V和一个6V的稳压二极管串联可以得到几种稳压值？ 可得到3种稳压值,分别为14V, 8V, 6V 稳压二极管的应用 2、发光二极管 发光二极管简称LED, 由一些化合物如砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)等制成, 内部的基本单元仍是一个PN结。当外加正向电压时, P区的空穴扩散到N区与N区中的电子复合, N区中的电子扩散到P区与P区中的空穴复合。在电子与空穴复合的过程中, 有一部分能量以光子的形式放出, 使二极管发光, 其光谱的范围比较窄, 其波长由所使用的基本材料而定。 * 金属的电阻率之所以会随着温度的升高而增大，其主要原因是因为金属中正离子作热振动时对自由电子的阻碍作用造成的，而温度越高时正离子的振幅越大，阻碍作用越强，所以金属的电阻会随着温度的升高而增大， * 高掺杂的半导体耗尽层窄 * 二极管的工作频率若超过一定值,就可能失去单向导电性,这一频率称为最高工作频率.? * 温度升高，少子越多，少子的漂移电流越显著Is就越大， UT为热电压随温度的变化没有Is显著 * * * 四种 第一章 常用半导体器件 §1 半导体的基本知识 §2 PN结的形成及特性 §3 半导体二极管 §4 二极管基本电路及其分析方法 §5 特殊二极管 --------第一部分 半导体基础 §1、 半导体的基础知识 物体根据导电能力(电阻率)的不同分导体、绝缘体和半导体。半导 体的电阻率为10-3～109 ??cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体的导电性能随着温度的变化而发生显著的变化。 半导体的导电性能随着光照强度的变化而发生显著的变化—光敏元件、热敏元件。 半导体的导电性能随着微量杂质的掺入而发生显著的变化。