8半导体存储器与可编程逻辑器件..pptVIP

8 半导体存储器与可编程逻辑器件 8.1 概述 8.2 随机存储器 8.3 只读存储器 8.4 低密度可编程逻辑器件 8.5 高密度可编程逻辑器件HDPLD 8.6 现场可编程门阵列FPGA 8.7 可编程逻辑器件的应用 上页 下页 后退 模拟电子 一个有七个乘积项的“或”输出端，同时该输出数据被反馈到“与”阵列。输出三态缓冲器由乘积项控制，当缓冲器为高阻时，该I/O端可作为输入端使用。 第一种类型是I/O结构，如图所示。 第二种类型是时序逻辑或寄存器输出结构 七个乘积项的“或”逻辑可以在公共时钟CP作用下置入D寄存器，该寄存器输出数据被反馈到“与”阵列，这就使当前状态的数据能成为下一状态的部分输入，由此可以实现时序电路的设计。 8.4.2 GAL GAL是在PAL基础上发展起来的新一代可编程逻辑器件，是低密度可编程器件的代表, 采用了能长期 保持数据的CMOS E2PROM工艺，还提供了电子标 签、宏单元和结构字等新技术，使GAL实现了电 可擦除、可重编程等性能，大大增强了电路设计的灵活性。从而成为低密度可编程器件的代表。 PAL是一次性熔丝编程结构，不同的结构对应不同的芯片型号，给使用带来不便。 GAL器件的阵列结构与PAL一样，是由一个可编程 的“与”阵列驱动一