2012_半导体物理_9_半导体发光-2014-06-04程序.ppt

半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 第9章 半导体的光学性质和光电 与发光现象 本章重点 概念 半导体的光学常数：复折射率、吸收和消光系数 半导体的光吸收：本征吸收、激子吸收、自由载流子吸收、杂质吸收 半导体的光电导：附加光电导、定态光电导、光电导弛豫 半导体的光生伏特效应：pn结的光生伏特效应、光电池的电流电压特性 半导体发光和激光：辐射跃迁、发光效率、电致发光机构、自发辐射和受激辐射、分布反转、激光的产生 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * 半导体的光学常数 麦克斯韦方程组： 对于均匀的各向同性煤质： 对于光学波长： 光在不带电的、各向同性的导电煤质中传播 半导体的光学常数 两边求旋度： 沿x方向传播的平面波： Ey Hz S, k 半导体的光学常数 自由空间： 煤质的复折射率： 振幅关系： 位相关系： 半导体的消光系数 电场： 磁场： 结论： 当??0时，光波以c/n的速度沿x方向传播，其振幅按照exp(-?kx/c)的形式衰减。 n是通常的折射率，k是表征光能衰减的参量，称为消光系数。 煤质的复折射率： 能流密度或光强的衰减： 半导体的吸收系数 煤质中光的衰减与光强成正比： 比例系数?与光强无关，称为煤质的吸收系数。 积分 ?的单位：cm-1； ?的物理意义：光在媒质中传播1/?距离时能量衰减到原来的1/e。 吸收系数?与消光系数k的关系： 复折射率实部和虚部的关系 反射系数和透射系数 反射系数的定义： 表达式： 界面反射系数和透射系数的关系： 透射系数的定义和表达式： 半导体材料能够强烈地吸收光能，具有数量级为105 cm-1的吸收系数。 吸收导致电子从低能级跃迁到高能级。 对于半导体，自由电子和束缚电子吸收都很重要。 价带电子跃迁是半导体中最重要的吸收过程。 电子从低能带跃迁到高能带的吸收相当于原子中的电子从低能级到高能级的吸收。 原子中的能级是不连续的，电子跃迁只能吸收一定能量的光子，出现的是分立的吸收线。 半导体中电子的跃迁发生在能带之间，表现的是连续的吸收带。 半导体的光吸收 半导体的光吸收 本征吸收的条件： 本征吸收的长波限： Si: ?0 = 1.1 ?m; GaAs: ?0 = 0.867 ?m; CdS: ?0 = 0.513 ?m; 半导体的光吸收：直接和间接跃迁 动量守恒： 忽略光子的动量： 跃迁前（初态）后（终态）动量（波失）相等 吸收系数与光子能量的关系： 半导体的光吸收：动量和能量守恒 间接跃迁的能量守恒： 声子的能量可以忽略不计： 间接跃迁的动量守恒： 直接跃迁：104~106 cm-1；间接跃迁：1~103 cm-1 在本征吸收中产生的电子和空穴是自由的，它们之间没有相互作用。 实验发现，低温下的半导体在本征连续吸收光谱出现以前就已经出现一系列吸收线，对应于激子吸收。 激子是带正电的空穴和带负电的电子通过库伦相互作用形成的。 激子作为整体呈电中性，可以在整个晶体中运动，不形成电流。 激子可以电离成自由电子和空穴，也可湮灭产生光子。 激子可以采用类氢原子模型来描述，具有一定的束缚能。 在激子的基态和导带底之间存在一系列激子的激发态。 激子的电离主要决定于束缚能，通常在低温下比较容易观测。 激子 激子、自由载流子和杂质吸收 Si中的B，属于受主 半导体的光电导 平衡光电导（暗电导）： 非平衡光电导： 附加光电导： 光电导的相对值： 掺杂半导体： 要制成相对光电导较高的光敏电阻，一般采用高阻材料或者在低温下使用 定态光电导 光吸收： 电子-空穴对的产生率： t秒后光生载流子浓度： 定态光生载流子浓度： 定态光电导率： 定义：在恒定光照下产生的光电导 平衡时产生率Q = 复合率R 光电导弛豫过程 半导体的光电导：小注入和大注入 光照过程中载流子的变化率： 方程的解： 光照停止后光生载流子的衰减方程： 小注入情况下光电导上升和下降函数： 大注入情况下载流子的变化率： 大注入情况下光电导上升和下降函数： 光生伏特效应：当用适当波长的光照射非均匀半导体（pn结）时，由于内建电场的作用，半导体内部将产生电动势（光生电压）。 pn结两边的光生载流子在内建电场的作用下向相反方向运动，p区的电子进入n区，n区的空穴进入p区，在pn结两端形成光生电动势。 光生电动势相当于在pn结两端加正向电压，产生正向电流。 在开路情况下，当光生电流等于正向电流时，pn结两端建立起稳定地电势差，这就是光电池的开路电压。 如将p