掺sb的Ge烯研究ppt.ppt

* 掺Sb锗烯的电子结构研究 答辩人：詹朋璇 导 师：刘诺 2015年6月15日 目录 contents 01 锗烯的发展和现状 02 本征锗烯电子特性 03 掺Sb锗烯电子特性 04 结论 1994：计算出二维锗结构 2014：制备出二维蜂窝结构锗烯 锗烯发展与现状 1 与石墨烯具有类似的结构。 在科研与技术革新方面具有重要的意义。 本征锗烯电子特性 2 本征锗烯能带 能带占据所有能级，即Eg=0。 锗烯呈现出金属性 本征能级 本征锗烯电子特性 2 本征锗烯态密度 不考虑深能级，选取-6eV~6eV部分。 电子态密度来源于4s，4p轨道（4p4s）。 本征态密度 本征锗烯电子特性 2 本征锗烯差分电荷密度 彩虹条表征电荷密度 本征锗原子间不存在电荷偏向。 差分电荷 本征锗烯布居分布 布局分析 本征锗烯电子特性 2 二维结构 层间距大→消除层间影响 本征锗烯布居分布 原子 s轨道 p轨道 带电子数 带电量（e） Ge 1.48 2.52 4.00 0 键 键长（?） 布居常数 Ge1 -- Ge2 2.34436 2.11 与电荷密度图相互表征。 本征锗原子不得失电子，不显电性。 本征键显示共价键特性。 d,f轨道无电子，不列出。 布局分析 本征锗烯电子特性 2 掺Sb锗烯能带 掺Sb锗烯电子特性 3 本征锗希能级图 Ge1Sb1能级图 50%