柔性基板上碳纳米管的场发射特性 摘要 调查有机聚合物基体上的单壁碳纳米管的场发射特性。采用喷雾法,单壁碳纳米管薄膜首先沉积到硅基板上。 在这种情况下,单壁碳纳米管的电性能可以通过酸处理和热处理来增强。而在硅基板上的单壁碳纳米管薄膜被转移到PDMS基板上。 在这种情况下,为了提高单壁碳纳米管发射器的粘附性,在PDMS硬化之前要进行转移过程。从这些发射极的表面,单壁碳纳米管以最低为0.9V/μm的场被打开。0.75mA/cm2的发射电流密度在1.2V/μm的场中是可以达到的。 1、介绍 碳纳米管(CNT),已被证明具有优异的排放特点,如排放低阈值电场和高电流密度,由于它们的几何形状,高纵横比,和小曲率尖端半径,以及高的化学和机械稳定性。这些特性使得它们作为一个潜在的冷阴极发射器用于场致发射显示器(FEDS)很有吸引力。 用于制造场致发射显示器,在金属电极上,碳纳米管必须以电子发射器的阵列作为图案。丝网印刷过程中,采用一个CNT浆料,因为成本低,工艺简单,发射站点均匀和便于大规模生产,已经被用来制成大面积冷阴极面板。正如预期的那样,在印刷阴极层的碳纳米管随机分布在基质材料上,因此,与高度有序,竖直排列的碳纳米管阵列相比,其排放特性差。 在丝网印刷工艺中遇到的一些问题包括:碳纳米管较弱的附着在基底上以及场致发射不均匀。碳纳米管浆料里的有机粘合剂在加热过程后修复了CNT粉末和有机粘合剂
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