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物 理 涂 镀 技 术 材料08级 山东建筑大学 复习 复习 复习 复习（10~80KHz） 第四节 离子镀 一、 离子镀原理 1、直流二极离子镀 是从蒸发镀的基础上发展起来的 1)原理：抽真空至高真空，通入Ar气至1Pa左右，接通电源V1，产生辉光放电，再接通电源V2，使蒸发材料蒸发，蒸气原子穿过等离子辉光放电区，一部分被电离，另一部分被碰撞成高能中性粒子，这些正离子和高能中性粒子高速飞向工件表面成膜。 2、活性反应离子镀1）原理2）特点（及改进类型略） （1）离化率高（2%-10%），适于反应沉积； （2）调整工艺参数，可方便地制备不同配比的化合物； （3）电子束功率大，可蒸发高熔点材料或化合物，且沉积速率高。 3、空心阴极离子镀 1）空心阴极放电及空心阴极等离子电子束 （1）空心阴极放电 3、空心阴极离子镀 原因： 电子发出后，在两阴极之间振荡，增加了与气体分子的碰撞和离化几率，形成了两极间的辉光和放电电流激增。 3、空心阴极离子镀 3、空心阴极离子镀 3、空心阴极离子镀 3、空心阴极离子镀 3、空心阴极离子镀 3、空心阴极离子镀 4、热阴极离子镀 5、电弧离子镀 5、电弧离子镀 5、溅射离子镀 5、溅射离子镀 本次课小结 原理和特点： 直流二极离子镀 活性反应离子镀 空心阴极离子镀 热阴极离子镀 电弧离子镀 磁控溅射离子镀 第四节 离子镀 一、原理  二、设备 教材上介绍了： 1、空心阴极离子镀 （1）空心阴极枪改进情况（略） （2）国产设备 2、热阴极离子镀 国产设备（略） 3、电弧离子镀 国产设备（略） 4、磁控溅射离子镀 国产设备（略） 第四节 离子镀 一、原理 二、设备 三、工艺与应用 1、工艺 第四节 离子镀 一、原理 二、设备 三、工艺与应用 1、工艺 影响离子镀膜层质量的工艺参数 （1）基片（工件）偏压V V越大： A、沉积的粒子能量提高， 伪扩散层增厚，附着力增强， 晶粒细小，组织致密。 B、沉积速率降低， 基片温度升高、 膜层受轰击严重， 表面光洁度降低。 影响离子镀膜层质量的工艺参数（1）基片（工件）偏压V（2）镀膜真空度和反应气体分压 A、真空度的影响： 同蒸发镀和溅射镀 影响离子镀膜层质量的工艺参数（1）基片（工件）偏压V（2）镀膜真空度和反应气体分压 B、反应气体分压： 分压高低将影响化合物膜的成分 影响离子镀膜层质量的工艺参数（1）基片（工件）偏压V（2）镀膜真空度和反应气体分压 影响离子镀膜层质量的工艺参数（1）基片（工件）偏压V（2）镀膜真空度和反应气体分压 第四节 离子镀 一、原理二、设备三、工艺与应用 1、工艺  2、应用 第五节 镀膜前处理及膜厚测量 小结 蒸发镀、溅射镀、离子镀的比较 思考题: 从膜附着力上讲，为什么离子镀膜溅射镀膜蒸发镀膜？ 1）溅射离子镀原理 抽真空---通氩气---接通两个电源---产生两个辉光放电----一个产生蒸汽，一个产生电离----被电离的蒸汽离子在负极（工件）的吸引下飞向工件沉积成膜。 辉光放电1 溅射原理 辉光放电2 离子镀原理 1）溅射离子镀原理 2）溅射离子镀特点 溅射靶为大平面源，镀膜均匀。 离子镀膜附着力强，组织致密。 缺点：当靶和基片过近时，辉光放电不稳，甚至熄灭。 。。。。 。。。 。。 离子镀特点：气化--离化--工件接电 蒸发—辉光离化2% 溅射—辉光离化 蒸发---弧光离化60-90% 蒸发—电子束离化22-40% 蒸发---二次电子离化2-10% 蒸发—电子束离化22-40% 总体结构同蒸发镀设备： 设备分类： 1、单室间歇式：实验或小规模生产，效率低 2、多室式：步进连续生产，大规模生产，效率高 3、卷绕式：柔性基体镀膜，效率很高 通反应气体可得到化合物膜，例如，TiN、TiC工艺参数见教材61-62页 。。。。 。。。 。。 V TiN2 A、真空度的影响： 同蒸发镀和溅射镀 （3）基片温度 同蒸发镀和溅射镀 （3）基片温度 （4）蒸发功率W W 越大：沉积越快， 离化率会降低， 膜的质量会有所下降。 化合物膜成分会有所改变。 。。。。 。。。 。。 同电镀膜 ---（略） 比较 离子镀 溅射镀 蒸发镀 真空 知识 蒸发源 工件 蒸发源 电源 辉光放电区 工件 。。。。 。。。 。。 电源 工件 磁控靶 离子镀200eV 溅射镀10eV 能量 低 高 致密性 低 高 沉积速率 高 低 工件的极性不一样 附着力 小 大 没有扩散层 有过渡层 过渡层厚 蒸发镀 0.1eV 绕镀性 低 高 *