微电子与集成电路设计5及答案.ppt

折弯型电阻器 注意，拐角处方块数只计算1/2 外角没有电子流过，电阻误差较大 如果想要得到一个阻值极低的电阻，而精度要求很高，可以选择用金属来做。大的面积将有助于减少delta 的影响，从而保证精度。 对于选择电阻的宽度，电流密度是重要的。如果需要通过电阻大量的电流，你会使用一个大的、粗的线。 电流密度是材料中能够可靠流过的电流量。工艺手册中有关于某些特定材料电流密度的介绍，工艺中任何能够被用于传导电流的材料都有一个对应的电流密度。 典型的电流密度大约是“每微米宽度0.5mA”。和宽度有关是因为设计得越宽，能够通过的电流越多。 - 用下面公式就可以计算出电阻能够可靠流过的毫安值。 Imax = D * W Imax：最大允许可靠流过的电流mA D： 材料的电流密度 mA/um W： 材料的宽度 um 需要一个200欧姆的电阻，其中流过的电路为10mA，薄层电阻率是每方200欧姆。?? Double poly process 最形象的电容结构为两个导电极板中间夹一个介质层，在版图识别中，可以看作导电极板的是POLY，METAL1，METAL2 以及扩散层，一般介质层都是由绝缘硅层构成的。电容主要为POLY-POLY 电容，METAL-POLY 电容，METAL2-METAL1 电容，多晶硅-n+扩散层MOS 电容，MOS 管源漏对接电容。 C=C0LW 用已有的层设计。 在IC中，电感无处不在。 如果需要考虑占用空间的大小，这样的结构特别有用 1 * W L H R = r H W L Sheet Resistance方块电阻 R ? R 1 R 2 对于一个给定的集成电路工艺，可以认为薄膜厚度是常数，它是我们不能改变的参数之一。对于一个给定的材料，我们能够改变的只有长度和宽度。 结论：虽然面积是原来面积的四倍，但总电阻仍是原来正方形的电阻值。因此，人们逐渐以每方欧姆来度量电阻。 每方欧姆是IC中电阻的基本单位，单位 □ 有了每方欧姆的具体数值，电阻的计算就可以简单的计算方块的数量，而不必考虑方块的尺寸，在一个工艺中同一材料，不论方块的尺寸是什么，其阻值都是相同的。 1微米*1微米正方形的电阻=4米*4米正方形的电阻。 “方数=L/W”方数并不一定是整数，可以含有小数。 R? 方块电阻 方块/薄层电阻： 每个制造工艺有一个参数手册，可以查寻以每方欧姆表示的材料电阻率。 IC中典型的电阻值： poly栅： 2-3欧姆/方 metal层：20-100毫欧姆/方（小电阻；良导体） diffusion：2-200欧姆/方 工艺中的任何材料都可以做电阻。但某些材料比其他材料更适合一些。常用的材料有poly和diffusion。 常用电阻器阻值范围： 10~50 欧姆 100~2k 欧姆 2k~100k 欧姆 以硅片作为衬底材料，在衬底上淀积一层多晶硅，再在多晶硅层上覆盖一层氧化层，形成隔离的绝缘层，然后在氧化层上刻蚀出用于连接的接触孔。 一般接触孔位于多晶硅的两头。 100 200 300 10 20 30 40 50 W/um R□/Ω 100 200 300 10 20 30 40 50 W/um R□/Ω 正方形尺寸和每方欧姆的关系 实际上，正方形尺寸小电阻大 原则上，因为同一种材料的各种正方形尺寸都具有相同的电阻值，所以，图形应该是呈水平直线。然而，实际情况是，当通过金属接触点去测量一个较小尺寸的电阻时，测量高于预测值，就是因为接触电阻的存在。 以多晶硅电阻为例，电阻材料与外界相连的金属接触材料同样有电阻 由于有接触电阻的存在，所以 R = rb + 2rc