半导体物理补充知识.ppt

第一章 半导体中的电子状态 (1) 若B 沿[111]方向,则cosθ 可以取两组数. 则 第一章 半导体中的电子状态 (2) 若B 沿[110]方向,则cosθ 可以取三组数. B 沿[110]方向时应有三个共振吸收峰. 第一章 半导体中的电子状态 (3) 若B 沿[100]方向,则cosθ 可以取两组数. B 沿[100]方向时应有两个共振吸收峰. (4) B 沿空间任意方向时, cosθ 最多可有六个不同值,故可以求六个mn * ,所对应的六个共振吸收峰. * 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物 ( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 * 最早实用的是半导体晶体管、整流器，等；近来在LED，太阳能电池有较广泛应用 * * 泡利不相容原理：不可能有两个或两个以上的电子拥有相同的4个量子数（主、角、磁、自旋量子数） 能量最低原理：原子系统处于正常态时，每个电子趋向占有最低的能级 * * 在数学和固体物理学中，第一布里渊区是动量空间中晶体倒易点阵的原胞。 因此可把波矢限制在第一Brillouin区(－π/a q π/a ) 内，而将其他区域通过移动nπ/a而合并到第一Brilouin区；这时的第一Brillouin区也就称为简约布里渊区。 * * * 绝缘体禁带宽度大，激发电子需要很大能量，在同城温度下，能激发到导带去得电子很少，所以导电性差 * 补偿法 二、 半导体中电子的平均速度 电子在周期性势场中的运动，用平均速度，即群速度来描述 群速度是介质中能量的传输速度 布洛赫定理说明电子的运动可以看作是很多行波的叠加，它们可以叠加为波包；而波包的群速就是电子的平均速度。 波包由一个特定波矢k附近的诸波函数组成，则波包群速Vg为 能带极值附近的电子速度正负与有效质量正负有关 1.3 半导体中的电子的运动 有效质量4 电子能量 三、 半导体中电子的加速度 当半导体上存在外加电场的时候，需要考虑电子同时在周期性势场中和外电场中的运动规律 考虑dt时间内外电场|E|对电子的做功过程 1.3 半导体中的电子的运动 有效质量5 加速度 1.3 半导体中的电子的运动 有效质量6 定义电子的有效质量 引进有效质量的概念后，电子在外电场作用下的表现和自由电子相似，都符合牛顿第二定律描述 四、有效质量的意义 1.3 半导体中的电子的运动 有效质量7 半导体中的电子需要同时响应内部势场和外加场的作用，有效质量概括了半导体内部势场对电子的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。 还可以由实验直接测定 并不代表电子的动量，称为电子的准动量 E-k关系至关重要 第一章 半导体中的电子状态 练习1-课后习题1 m0为电子惯性质量，k1=1/2a; a=0.314nm。试求： （1）禁带宽度； （2）导带底电子有效质量； （3）价带顶电子有效质量； （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 1.设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为： 第一章 半导体中的电子状态 第一章 半导体中的电子状态 第一章 半导体中的电子状态 练习2-课后习题2 2.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m和107V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 1.4 本征半导体的导电机构 空穴1 满带中的电子不能导电 高纯半导体在绝对零度时导带是空的，并且由一个能隙Eg与充满电子的价带隔开。 当温度升高时，电子由价带被热激发至导带。导带中的电子和留在价带中的空轨道二者都对电导率有贡献。 空穴 1.4 本征半导体的导电机构 空穴2 满带中的电子即使加外电场也不能导电 所有电子的波矢都以相同的速率向左运动，但满带的结果是合速度为零。 外加电场E 1.4 本征半导体的导电机构 空穴3 若满带中有一个电子逸出，出现一个空状态，情况如何？ 所有电子的波矢都以相同的速率向左运动 外加电场E 空状态和电子k状态的变化相同 1.4 本征半导体的导电机构 空穴4 等效成一个带正电荷的粒子以k状态电子速度运动时产生的电流