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第七章 金属和半导体的接触 7.1 M?S接触的势垒模型 7.2 M?S接触的整流效应 7.3 M?S接触的欧姆接触 ?金属——半导体接触 由金属和半导体互相接触而形成的结构，简称M-S接触。 ?典型接触： 1、整流接触——单向导电性——肖特基势垒器件 2、欧姆接触——双向导电性—— 提供低阻互联 ？ 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1功函数（也称逸出功——逃离能） 金属功函数表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。 金属功函数 半导体功函数 电子亲和能表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。 功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱，越大，电子越不容易离开金属。 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1理想M-S接触的势垒模型 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1理想M-S接触的势垒模型 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1理想M-S接触的势垒模型 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1理想M-S接触的势垒模型 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1理想M-S接触的势垒模型 7.1 M?S接触的势垒模型 7.1.1理想M-S接触的势垒模型 7.2 M?S接触的整流效应 7.2 M?S接触的整流效应 7.2 M?S接触的整流效应 7.2 M?S接触的整流效应 肖特