第八章光刻8.ppt

第八章 光刻与刻蚀工艺 光刻是集成电路工艺中的关键性技术，由于光刻技术的不断更新，推动了ULSI的高速发展。 1958年，光刻技术的发明，研制成功平面晶体管，推动了集成电路的发明。 由1959年集成电路发明至今的40多年里，集成电路的集成度不断提高，器件的特征尺寸不断减小。这个时期中，集成电路图形的线宽缩小了4个数量级，集成度提高了6个数量级，这一切都归功于光刻技术的进步。 光刻技术处于半导体制造技术的核心，被认为是IC制造中最关键的步骤。 光刻的目的 光刻的目的就是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的 ULSI对光刻的基本要求 高分辨率 高灵敏度的光刻胶 低缺陷 精密的套刻对准 对大尺寸晶片的加工 8.1光刻的工艺流程 在光刻过程中，光刻胶在受到光辐照之后发生光化学反应，其内部分子结构发生变化，在显影液中光刻胶感光与未感光部分的溶解度速度相差非常大！ 8.1光刻的工艺流程 光刻的工艺流程 1涂胶：是在Si片或其它薄膜表面，涂上一层粘附良好，厚度适当，均匀的光刻胶膜。 脱水烘焙 方法：旋转法 步骤：喷胶——加速——保持 前烘： 是使胶膜体内溶剂充分地挥发，使胶膜干燥以增加胶膜与SiO2膜（或金属膜）的粘附性和胶膜的耐磨性，即在曝光对准时允许胶膜与掩模版有一定紧贴而不磨损胶膜，不沾污掩模版；同时，只有光刻胶干燥，在曝光时才