8.4面缺陷壁课题.ppt

* * 8.4 面缺陷,壁 面缺陷是体系自由能相等，但序参量值不同的两部分 之间的界面。 面缺陷依不同的情况，有不同的名称，如晶界，畴壁， 扭折，孤子等，统称为壁。 壁的存在，使序参量的空间变化发生突变，视为缺陷。 链格点上的自旋只能取向上和向下两个态，分别对应于自旋变数 假定近邻自旋间有铁磁性的 交换作用 扭折可有正负号：向上在右侧为正．在左侧为负，分别称为正、反扭折。正反扭折相遇可以相互湮灭。 首先看一维伊辛链 大于0的交换积分 壁处发生自旋反转，序参量从+1到-1发生突变，这种缺陷称为扭折(图8.13)。 8.4.1 扭折和孤子 对于二维伊辛模型，扭折成为线缺陷，三维时，成为面缺陷，通常都称为畴壁。对于边长为 在二维、三维情形，畴壁不一定是平直的，可以弯折着从体系的一端到另一 端，也可以是闭合的畴壁，围出自旋取向和外部相反的区域(图8.14)。 畴壁可用一波包表示，在传播的过程中，以及和其他波包相碰撞时保持形状不变，仅相互通过而已。这种特殊的孤波解通常称为孤子。 畴壁的弯折加长了其长度或面积，因而增加了体系的能量，但同时也使系统的熵增加，有可能在某一非零温度，弯折的畴壁比平直的从自由能的角度更有利一些。 8.4.2 铁磁材料中的畴壁 铁磁材料为降低静磁能，会分割成磁化方向不同的磁畴，磁畴之间的界壁称为畴壁。与前面讨论的简单的伊辛模型不同处在于: 尽管在铁磁材料中自旋系统的能量依自旋相对于晶轴的绝对取向而变化，具有各向异性能，从而畴中自旋取向通常在各向异性能低的易磁化方向，但自旋的取向仍有三个自由度，只不过取向偏离易磁化方向时，各向异性能要高一些。 180°畴壁（也称布洛赫壁）为例。从交换能的角度，畸壁有一定厚度显然更加有利，这样在壁中自旋可逐渐转向 (如图）。 这种自旋取向自由度的放松，使畴壁具有一定的厚度。 如只考虑这一因素，n越大，即畴壁越厚从能量上讲越有利。但如前述，还要考虑各向异性能的因素。 畴壁中自旋取向偏离易磁化方向，使各向异性能有所增加，平均讲每个自旋增加一个小的固定份额。在畴壁厚度增加的过程中，各向异性能的增加最终将超过交换能的继续降低，壁厚由两者的平衡决定。 在磁性材料金属铁中，布洛赫壁典型的厚度约为300个原子间距。 在铁电材料电偶极矩取向不同的畴间，在第Ⅰ类超导体超导区和正常区间，以及在一些其他情形，均有畴壁存在。畴壁的性质，及在外场作用下的运动，极大地影响着材料的性质和功能。 8.4.3 晶 界 晶界的存在使原子空间有序的排列发生突变，常见类型如下： 小角度晶界 大角度晶界 孪晶界 堆垛层错 小角度晶界，两相邻晶粒相对取向差 的角度较小，一般在10°以下。右图 所示的称为倾侧晶界， 它可看成由一系 列相隔一定距离的刃型位错垂直排列 构成。这已为实验观察所证明。 由于 位错附近的点阵畸变以及杂质原子聚 集等原因，在适当的侵蚀剂作用下， 位错附近的浸蚀率通常比基体快，在 其位置上产生蚀坑，在小角晶界处观察到了等间隔的一串蚀坑。 小角晶界还可是扭转晶界。相当于将晶体沿某一平行于x-y平面的晶面切开，相对绕 z 轴转一小角，然后再会合在一起。 孪晶界，指一个晶体的两部分沿一公共晶面构成镜面 对称的取向关系(如下图)，此公共面称为孪晶面。 面上原子同时位于两部分的晶体点阵的结点上，并为 两部分晶体所共有，这 种孪晶面称为共格孪晶 面，孪晶面不与孪晶界 相重合时，晶界是非共 格的。 大角度晶界，两晶粒间的相对取向差别在15°以上。晶界为约几个原了间距的薄层。层中原子排列较疏松杂乱，但仍有一定的周期性。总的讲，结构比较复杂。