光电探测与信号处理 CMOS图像传感器 一、 CMOS图像传感器的发展历史 二、 CMOS图像传感器的原理 三、 典型CMOS图像传感器 四、CMOS图像传感器的性能参数 五、CMOS与CCD图像传感器性能比较 一、 CMOS图像传感器的发展历史 上世纪60年代末期,美国贝尔实验室提出固态成像器件概念: 互补金属氧化物半导体图像传感器 CMOS —Complementary Metal Oxide Semiconductor CIS—— CMOS Image Sensor 电荷耦合器件图像传感器 (CCD) CMOS与CCD图像传感器的研究几乎是同时起步,固体图像传感器得到了迅速发展。 CMOS图像传感 器: 由于受当时工艺水平的限制, 图像质量差、分辨率低、噪声降不下来,因而没有得到重视和发展。 CCD图像传感 器: 光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点 一直主宰着图像传感器市场。 由于集成电路设计技术和工艺水平的提高,CMOS图像传感器过去存在的缺点,现在都可以找到办法克服,而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的,因而它再次成为研究的热点。 1970年,CMOS图像传感器在NASA的喷气推进实验室JPL制造成功, 80年代末,英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型 图像传感器件, 1995年像元数为(128×128)的高
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